GlobalFoundries chce dohnat Intel. 14nm proces s FinFETy už v roce 2014

Nedlouho poté, co se na IDF svými budoucími výrobními linkami pochlubil Intel, se hlásí ke slovu i společnost GlobalFoundries, vzniklá odštěpením polovodičových továren AMD. Představila 14nm proces, na který by (přinejmenším ze začátku) chtěla nalákat zejména výrobce mobilních čipů. Tato technologie bude využívat 3-D tranzistory místo rovinných, a navíc ji GlobalFoundries hodlá uvést v mnohem agresivnějším termínu než své předchozí procesy. 14nm čipy by se totiž údajně mohly dočkat produkce již v roce 2014.

Pro proces společnost přišla s pojmenováním 14nm-XM (zkráceně 14XM), přičemž dvě písmena na konci znamenají „eXtreme Mobility“. Je docela pravděpodobné, že firma později přidá ještě o něco méně úspornější variantu schopnou dosahovat vyšších frekvencí. Nízkospotřebové varianty procesů jsou obvykle k dispozici dříve, lze říci, že jejich příprava a rozjezd jsou o něco méně náročné. A 14nm proces by skutečně měl být nasazen relativně brzo. Zatímco mezi předchozími stupni (20 nm, 28 nm, 45 nm a tak dále) to firmě zabralo vždy zhruba dva roky, novinka by měla přijít již rok po 20nm procesu, jenž je naplánován na rok 2013.

GlobalFoundries totiž technologii navrhlo s ohledem na co největší podobnost s předchozím procesem 20nm-LPM. Ovšem s tím, že rovinné tranzistory nahradí FinFETy, kterým zřejmě připadne na vrub většina zlepšení nového procesu. Díky této částečné ‚kompatibilitě‘ by měl být značně snazší nejen vývoj procesu, ale také přenos zákaznických čipů na nové linky. Naskýtá se ale samozřejmě otázka, do jaké míry je proces skutečně „14nm“, či zda není spíše jakýmsi hybridem někde mezi, který dostal nižší číslo z marketingových důvodů.

Tím, co to 3-D tranzistory typu FinFET vlastně jsou, jsme se zde již zabývali, takže jen odkáži na starší aktualitu obsahující vysvětlení. Díky FinFETům budou čipy vyráběné na procesu 14nm-XM údajně při zachování spotřeby dosahovat až o 20–55 % vyšších frekvencí než jejich kolegové pocházející z procesu 20nm-LPM. Nižší nárůst přitom platí pro vyšší pracovní napětí, zatímco u zařízení, která svá napájecí napětí drží nízko, by se mělo podařit navýšit frekvenci více. Podobně jako u Intelu tedy 3-D tranzistor nepřinese ani tak vyšší výkony, jako hlavně úspory energie. Pokud čip nepotřebuje vyšší takty, lze při zachování původního výkonu srazit spotřebu až o 40–60 %.

GlobalFoundries: Plány na 14nm výrobní proces s FinFETyGlobalFoundries: Plány na 14nm výrobní proces s FinFETyGlobalFoundries: Plány na 14nm výrobní proces s FinFETy

Reálnou konkurencí tohoto procesu GlobalFoundries budou spíše než Intel zakázkové provozy firem TSMC (plánuje 16nm výrobu s FinFETy na rok 2015) a UMC (která FinFETy nasadí na 20 nm). Uvidíme, zda se snaživému nováčkovi podaří naplnit ambicióní plán. Nemohu se zbavit dojmu, že termíny jsou stanoveny značně optimisticky, a skutečně bezproblémová masová výroba bude ve skutečnosti možná až s několikaměsíčním odstupem.

Reklama

 

Samozřejmě je však možné i to, že nás GlobalFoundries příjemně překvapí a s 14nm FinFETy dožene technologický náskok procesorové (a zřejmě i výrobní) jedničky. Je zde ovšem jeden drobný rozdíl. Intel bude zřejmě mít proces připravený již v závěru roku 2013, byť se první produkty (procesory Broadwell) zřejmě objeví s pohodlnou rezervou až někdy na jaře roku 2014. U GlobalFoundries osobně očekávám o dost napjatější scénář; letopočet 2014 téměř určitě znamená samý závěr roku. A pokud se nějaký sériový čip stihne dostat na trh ještě před jeho koncem, bude to asi s odřenýma ušima.

Zdroje: GlobalFoundries, X-bit labs

Oblíbené Tisk E-mail

Související články

Reklama

Komentáře

+- mam podobne obavy jako autor clanku, a navic s tim ze jak napsal, tak u GF se jedna o proces na cipy ktere Intel asi as tak netrapi a bude to tedy spise konkurent pro jine vyrobce, otazkou je i kapacita toho procesu, precijen GF s Intelem nemuze souperit co se kapacit tyce

"Naskýtá se ale samozřejmě otázka, do jaké míry je proces skutečně „14nm“, či zda není spíše jakýmsi hybridem někde mezi, který dostal nižší číslo z marketingových důvodů."
Dobrá otázka, marketing je přeci všemocný :)
Stejná otázka mě ale napadá u "3D" tranzistorů Intelu. Jsou opravdu postavené na 22nm?

zdá se že se jedná o jakési hybridy, různá densita cell buněk, modular fin with 14nm front-end design rules, structure insert in 20nm BEOL scheme : http://semimd.com/blog/2012/08/16/foundries-tip-hybrid-finfet-flows/
Podobné to bude zřejmě s Intelovským "22nm" výrobním procesem , viz: http://pctforum.tyden.cz/viewtopic.php?p=8369945#p8369945

Tak čo dodaŤ, veľa štastia :D

Reklama
Reklama