FeTRAM: vědci vylepšili ferroelektrickou paměť

0

FeRAM jste možná slyšeli jako o jednom z možných nástupců pamětí DRAM a Flash. Oproti soupeřícím technologiím, tedy pamětem založeným na změně skupenství (PRAM) nebo magnetorezistivním pamětem (MRAM), mají ale FeRAM jednu docela politováníhodnou nevýhodu: čtení je destruktivní, což znamená, že data se přečtením smažou a je nutné je zapsat znovu. S řešením přichází tým výzkumníků z Purdue University.

Nový typ paměti využívající ferroelektrického polymeru (materiál, který působením elektrického pole mění polaritu) dostal název FeTRAM. Zatímco klasická FeRAM ukládá bity do ferroelektrických kondenzátorů, FeTRAM využívá tranzistory. Technologie zatím existuje víceméně jen na papíře a v podobě experimentu, kterým vědci své hypotézy ověřili.

Komerční nasazení je tedy daleko, autoři výzkumu ale podotýkají, že FeTRAM lze vyrábět zavedeným výrobním postupem, kterým vznikají polovodičové mikročipy všeho druhu. FeRAM i FeTRAM slibují především nízkou spotřebu, potenciálně prý dokáží uspořit až 99 % energie oproti pamětem Flash, přitom vydrží neomezený počet zápisů a zároveň mohou být rychlejší než SRAM.

Zdroj: Purdue University Discovery Park

Ohodnoťte tento článek!