Intel a Micron uvádějí 3D NAND. 32vrstvé čipy mají lepší výdrž, kapacitu i cenu

0

Samsung již od loňska prodává SSD založené na nové generaci „3D“ pamětí NAND, u nichž jsou buňky uloženy ve vrstvách na sobě, což otevírá nové možnosti pro zvyšování kapacity. Prvenství mu už nikdo nesebere, nicméně konkurence už tuto metu dobyla také. Intel a Micron, kteří mají na výrobu pamětí flash společný podnik (označovaný IMFT), nyní představili svou vlastní 3D NAND, která by proti V-NAND od Samsungu navíc mohla být v některých směrech zajímavější.

Stejně jako stávající generace V-NAND je 3D NAND Micronu a Intelu tvořena 32 vrstvami buněk, zatímco běžná „planární“ NAND má jen jednu vrstvu. Ovšem zatímco Samsung touto technologií vyrábí čipy s kapacitou 128Gb (16 GB), jakou nabízejí i planární čipy, paměť IMFT využije trojrozměrnou technologii ke skokovému navýšení kapacity. Základní verze, na níž Intel s Micronem pracují, má totiž kapacitu 256Gb (32 GB) při režimu MLC. S použitím záznamu TLC dosahují čipy kapacity až 384 Gb (48 GB). Kapacita tedy bude dvojnásobná či trojnásobná, což logicky umožní také dvoj či trojnásobně velká SSD.

3D NAND z produkce Intelu a Micronu
3D NAND z produkce Intelu a Micronu

Technologicky má tato 3D NAND jednu velkou odlišnost. Používá totiž k záznamu klasické buňky s plovoucími hradly, stejně jako konvenční planární NAND. Implementace Samsungu místo nich používá elektronové pasti, takže IMFT se s tradičními plovoucími hradly paradoxně dostal do role průkopníka. Použití plovoucích hradel je ale údajně klíčem k tomu, aby 3D NAND poskytla vyšší výkon, kvalitu, spolehlivost, a také nebyla drahá. Podle tiskové zprávy je totiž 3D NAND navržená tak, aby měla cenu za 1 GB nižší než stávající planární čipy. To přitom vzhledem k radikálně změněné technologii není samozřejmost. Nové 3D čipy tak budou moci být použity i v levných SSD, nejen v těch z vyšších tříd.

 

Samotné buňky jsou díky vrstvení podstatně větší – díky uložení v mnoha vrstvách totiž není takový tlak na minimalizaci jejich rozměrů, paměť se asi dokonce vyrábí na značně „větším“ procesu. Tato fyzicky větší velikost buněk by se ovšem měla projevit ve vyšší odolnosti a životnosti, takže i verze se zápisem TLC by údajně měla vyhovovat pro použití v serverových SSD. Nové čipy mají také podle Intelu mít menší spotřebu, což ale bude hlavně použitím nízkoenergetického úsporného režimu, do kterého se budou moci selektivně přepínat ty čipy, které v tu chvíli nejsou aktivní.

Čipy 3D NAND na waferu
Čipy 3D NAND na waferu

Výroba čipů 3D NAND má ve společném podniku Intelu a Micronu začít ještě letos v druhé polovině roku. Existují již ale testovací vzorky, které už mají první klienti a mohou tedy již pracovat na vývoji SSD s touto pamětí. 256Gb čipy (tedy typ MLC) už jsou k dispozici nyní a vzorky varianty TLC by měly být hotové do konce jara, i u nich má komerční produkce začít letos. Kompletní SSD založená na 3D NAND od IMFT nicméně mají přijít na trh až příští rok, a to jak od nezávislých výrobců, tak přímo od Intelu a Micronu/Crucialu.

3D NAND z produkce Intelu a Micronu

Zdroj: Intel

Intel a Micron uvádějí 3D NAND. 32vrstvé čipy mají lepší výdrž, kapacitu i cenu

Ohodnoťte tento článek!