Memristory příští rok nebudou. Hynix jejich rozjezd odkládá z obchodních důvodů

0

Na úvod pro ty, kdo by snad nebyli vůbec v obraze. Memristor, v roce 1971 předpovězený jako čtvrtá základní elektrotechnická součástka, vynalezla společnost Hewlett-Packard v roce 2008. O dva roky později HP uzavřelo dohodu s Hynixem, který měl paměť na bázi memristorů (označovanou jako ReRAM) vyrábět. Mělo se tak stát v roce 2013 a už v letech 2014–2015 se ReRAM měla dostat do prvních komerčních produktů. HP a Hynix se ale rozhodly, že příchod ReRAM na trh se minimálně o rok opozdí.

 

„Koncem příštího roku budeme mít něco technologicky schůdného,“ prozradil vedoucí výzkumu Stan Williams v rozhovoru pro The Kavli Foundation. Hynix je ale významným výrobcem pamětí Flash, kterou ReRAM nahrazují, a kanibalizovaly by tak jeho byznys, jak Williams vzápětí dodává. „Čili se ukzauje, že je důležité, jak čas vydání memristorů naplánujeme.“

Vyrábět ReRAM by přitom neměl být zas až takový kumšt, stačí na to totiž existující vybavení pro výrobu mikročipů. „Pokud víte, jak na to – souvisí s tím spousta intelektuálního vlastnictví – prakticky jakákoliv výrobna by mohla zítra začít dělat memristory,“ říká Williams v témže rozhovoru. Zkrátka a dobře, důvody odkladu nejsou technologické, nýbrž čistě obchodní.

Ale počkat, Hynix přece není jediným výrobcem, který si na ReRAM brousí zuby. Prototypy se už dříve pochlubila Elpida, na vývoji pracuje též Toshiba. V myšlence vyždímat technologii NAND Flash, co to jen půjde, je ale japonská firma s Hynixem zajedno. Zajímavé informace na toto téma vyhrabal server Bright Side of News.

V příštím roce se prakticky současně rozjede výroba vzorků pamětí ReRAM a BiCS Flash. Zkratka znamená „bit cost scalable“ a souhrnně označuje způsoby, jak změnami rozložení obvodů v čipu na stejnou plochu vtěsnat více buněk a dosáhnout tak nižší ceny za gigabajt. Toshiba kromě toho bude čipy skládat na sebe až do 16 vrstev. Rozjezd výroby ve velkém měřítku (jak BiCS Flash, tak ReRAM) chystá Toshiba na rok 2015 a společnost předpokládá, že technologie BiCS Flash snese ještě dva přechody na pokročilejší výrobní technologie, než přestane být konkurenceschopná.

K tomu BSN přidává ještě obligátní drb, že na rozjíždějící se vlak ReRAM chce naskočit také SanDisk, který shání potřebné pracovníky výzkumu a vývoje. Zdá se už být celkem jasné, že ReRAM bude tou technologií, která skutečně nahradí NAND Flash. A že kandidátů v různém stádiu vývoje bylo a pořád je: FeRAM/FeTRAM, MRAM, phase-change paměti, IBM Racetrack, paměť využívající grafen

Zdroj: X-bit labs, Bright Side of News

Ohodnoťte tento článek!