Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE 01 - Klasický planární tranzistor, 3D FInFET a GAAFET s branou ze všech čtyř stran
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE 03 - GAAFET s nanodrátky (vlevo) a MBCFET s nanodestičkami (vpravo)
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE 04 - Klasický planární tranzistor, 3D FInFET a GAAFET s branou ze všech čtyř stran
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE 02 - GAAFETy mají škálovat na nižší výrobní procesy, větší efektivitu a vyšší výkon
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE skalovani - GAAFETy mají škálovat na nižší výrobní procesy, větší efektivitu a vyšší výkon. Na nižších výrobních procesech už FinFETy přestávají stačit
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE vykon - Předpokládaná zlepšení s 3nm procesem Samsungu 3GAE s MBCFETy
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE tranzistor 1600 - Tranzistor MBCFET
Domů Koronavirus dá ránu i čipům. 3nm výrobní proces TSMC i Samsungu se zpozdí do...
