Koronavirus dá ránu i čipům. 3nm výrobní proces TSMC i Samsungu se zpozdí do roku 2022 (Fotogalerie) Od Jan Olšan - 5.6.2019 0 Facebook Twitter Linkedin Klasický planární tranzistor, 3D FInFET a GAAFET s branou ze všech čtyř stran GAAFET s nanodrátky (vlevo) a MBCFET s nanodestičkami (vpravo) Klasický planární tranzistor, 3D FInFET a GAAFET s branou ze všech čtyř stran GAAFETy mají škálovat na nižší výrobní procesy, větší efektivitu a vyšší výkon GAAFETy mají škálovat na nižší výrobní procesy, větší efektivitu a vyšší výkon. Na nižších výrobních procesech už FinFETy přestávají stačit Předpokládaná zlepšení s 3nm procesem Samsungu 3GAE s MBCFETy Tranzistor MBCFET Ohodnoťte tento článek!