DDR5 a specifikace pro různé generace DRAM dle Hynixu
Registrovaný modul DDR5 na CES 2020 (Foto: AnandTech)
Paměťový modul DDR5 od Hynixu Zdroj: Hynix
Příští generace DRAM pro notebooky , server ya PC: Paměťové čipy DDR5 od Hynixu Zdroj: Hynix
Modul DIMM s pamětí DDR5 od Hynixu. Jde o paměť typu registered pro servery
Čipy DDR4 z produkce Samsungu
32GB modul DDR4 2666 MHz od Samsungu. Tato dual-rank paměť má po dvou stranách PCB celkem šestnáct čipů, jde o jeden z prvních modulů s 16Gb čipy, tedy s kapacitou 2 GB na jeden kousek křemíku. Tyto čipy umožní zdvojnásobit kapacity RAM v počítačích
Paměti typu registered. centrální čip hraje roli bufferu, díky kteérmu tato RAM může mít větší kapacity než běžné unregistered (UDIMM) moduly. Tyto paměti ale fungují jen v serverech a potřebují speciální desky
LPDDR4X od Samsungu. Tyto paměti jsou poslední a zatím nejvýkonnější typ RAM pro mobilní zařízení; se stejnou šířkou sběrnice mívají dokonce vyšší efektivní takty než DDR4 v PC
Paměť LPDDR4. Kontakty jsou po obvodu, aby se čip dal napájet na horní stranu mobilního SoC na kontaky po obvodu jeho vlastního substrátu
Paměti HBM2E na frekvenci 3,6 GHz efektivně od Hynixu Zdroj: SK Hynix
GPU Vega 20 se čtyřmi čipy HBM2 po obvodu (Zdroj: techPowerUp)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: LegitReviews)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: Hardware.fr)
HBM2 na GPU Volta od Nvidie, opět po obvodu čipu. Křemíky jsou zde obklopené pryskyřicí
Procesor Kaby Lake-G s pamětí HBM2 (zcela vlevo). HBM jsou vrstvená pouzdra ukrávající několik vrstev čipů DRAM a logickou vrstvu, která se stará o komunikaci. Dosahují velmi vysokou propustnost, ale potřebují být integrované velmi blízko u CPU či GPU, typicky na křemíkovém interposeru
DRAM čipy typu GDDR6 od Samsungu, s efektivní rychlostí až 16,0 GHz
NAND od Hynixu, se snímky celých nerozřezaných křemíkových desek, z nichž je tvořena
SSD a čipy NAND od Hynixu
QLC NAND vyrobená Toshibou
Čipy NAND od Samsungu, pátá generace V-NAND tpyu TLC s kapacitou 256 Gb (32 GB)
96vrstvý čip BiCS4 neboli 3D NAND od Toshiby
Čip NAND Flash od Toshiby - respektive all-in-one úložiště typu eMMC
UFS úložiště od Samsungu, modernější a výkonnější náhrada eMMC
SSD v provedení modulů M.2
Paměťové karty SD. Vlevo běžná, vpravo s přídavnými kontakty pro režimy UHS-II/III (Foto: RaphAstronome, Wikimedia Commons)
Domů Čipy pamětí HBM, DDR, GDDR a NAND Flash (Fotogalerie)
