DDR5 a specifikace pro ruzne generace DRAM dle Hynixu - DDR5 a specifikace pro různé generace DRAM dle Hynixu
Registrovany modul DDR5 na CES 2020 foto AnandTech - Registrovaný modul DDR5 na CES 2020 (Foto: AnandTech)
Pametovy modul DDR5 od Hynixu 1600 - Paměťový modul DDR5 od Hynixu
sk-hynix-DDR5-operacni-pameti-dram - Příští generace DRAM pro notebooky , server ya PC: Paměťové čipy DDR5 od Hynixu
sk-hynix-DDR5-modul-operacni-pameti-dram-registered - Modul DIMM s pamětí DDR5 od Hynixu. Jde o paměť typu registered pro servery
samsung-ddr4-1y-3600mhz-01 - Čipy DDR4 z produkce Samsungu
samsung-32gb-ddr4-sodimm-pametovy-modul-1600 - 32GB modul DDR4 2666 MHz od Samsungu. Tato dual-rank paměť má po dvou stranách PCB celkem šestnáct čipů, jde o jeden z prvních modulů s 16Gb čipy, tedy s kapacitou 2 GB na jeden kousek křemíku. Tyto čipy umožní zdvojnásobit kapacity RAM v počítačích
ddr4-rdimm-lrdimm-pamet-rambus - Paměti typu registered. centrální čip hraje roli bufferu, díky kteérmu tato RAM může mít větší kapacity než běžné unregistered (UDIMM) moduly. Tyto paměti ale fungují jen v serverech a potřebují speciální desky
samsung-8gb-lpddr4 - LPDDR4X od Samsungu. Tyto paměti jsou poslední a zatím nejvýkonnější typ RAM pro mobilní zařízení; se stejnou šířkou sběrnice mívají dokonce vyšší efektivní takty než DDR4 v PC
samsung-8gb-pop-lpddr4-16gbit-x4-240_0.jpg - Paměť LPDDR4. Kontakty jsou po obvodu, aby se čip dal napájet na horní stranu mobilního SoC na kontaky po obvodu jeho vlastního substrátu
Hynix pameti HBM2E 3 6ghz - Paměti HBM2E na frekvenci 3,6 GHz efektivně od Hynixu
amd-radeon-vii-unboxing-roborka-techpowerup-03 - GPU Vega 20 se čtyřmi čipy HBM2 po obvodu (Zdroj: techPowerUp)
amd radeon fury GPU Fiji legitreviews - ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: LegitReviews)
amd radeon fury gpu fiji hbm - ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: Hardware.fr)
nvidia-volta-gv100-golem-de - HBM2 na GPU Volta od Nvidie, opět po obvodu čipu. Křemíky jsou zde obklopené pryskyřicí
intel-kaby-lake-g-cip - Procesor Kaby Lake-G s pamětí HBM2 (zcela vlevo). HBM jsou vrstvená pouzdra ukrávající několik vrstev čipů DRAM a logickou vrstvu, která se stará o komunikaci. Dosahují velmi vysokou propustnost, ale potřebují být integrované velmi blízko u CPU či GPU, typicky na křemíkovém interposeru
samsung-16gb-gddr6-18ghz-dram-cipy-1600 - DRAM čipy typu GDDR6 od Samsungu, s efektivní rychlostí až 16,0 GHz
hynix-nand - NAND od Hynixu, se snímky celých nerozřezaných křemíkových desek, z nichž je tvořena
sk-hynix-nand-flash-ssd - SSD a čipy NAND od Hynixu
toshiba-qlc-nand - QLC NAND vyrobená Toshibou
samsung-pata-generace-v-nand-96vrstev - Čipy NAND od Samsungu, pátá generace V-NAND tpyu TLC s kapacitou 256 Gb (32 GB)
Toshiba-96vrstva-pamet-nand-flash-BiCS4-QLC - 96vrstvý čip BiCS4 neboli 3D NAND od Toshiby
toshiba-nand-flash-emmc-1600 - Čip NAND Flash od Toshiby - respektive all-in-one úložiště typu eMMC
samsung-256gb-ssd-ufs-cip-bga-1600 - UFS úložiště od Samsungu, modernější a výkonnější náhrada eMMC
crucial-p1-ssd-02 - SSD v provedení modulů M.2
pametova-karta-sd-kontakty-uhs-ii-wikimediacommons-1600 - Paměťové karty SD. Vlevo běžná, vpravo s přídavnými kontakty pro režimy UHS-II/III (Foto: RaphAstronome, Wikimedia Commons)
Domů Čipy pamětí HBM, DDR, GDDR a NAND Flash (Fotogalerie)
