Příští generace DRAM pro notebooky , server ya PC: Paměťové čipy DDR5 od Hynixu Zdroj: Hynix
Modul DIMM s pamětí DDR5 od Hynixu. Jde o paměť typu registered pro servery
Čipy DDR4 z produkce Samsungu
32GB modul DDR4 2666 MHz od Samsungu. Tato dual-rank paměť má po dvou stranách PCB celkem šestnáct čipů, jde o jeden z prvních modulů s 16Gb čipy, tedy s kapacitou 2 GB na jeden kousek křemíku. Tyto čipy umožní zdvojnásobit kapacity RAM v počítačích
Paměti typu registered. centrální čip hraje roli bufferu, díky kteérmu tato RAM může mít větší kapacity než běžné unregistered (UDIMM) moduly. Tyto paměti ale fungují jen v serverech a potřebují speciální desky Zdroj: Rambus
LPDDR4X od Samsungu. Tyto paměti jsou poslední a zatím nejvýkonnější typ RAM pro mobilní zařízení; se stejnou šířkou sběrnice mívají dokonce vyšší efektivní takty než DDR4 v PC
Paměť LPDDR4. Kontakty jsou po obvodu, aby se čip dal napájet na horní stranu mobilního SoC na kontaky po obvodu jeho vlastního substrátu
DRAM čipy typu GDDR6 od Samsungu, s efektivní rychlostí až 16,0 GHz Zdroj: Samsung
Procesor Kaby Lake-G s pamětí HBM2 (zcela vlevo). HBM jsou vrstvená pouzdra ukrávající několik vrstev čipů DRAM a logickou vrstvu, která se stará o komunikaci. Dosahují velmi vysokou propustnost, ale potřebují být integrované velmi blízko u CPU či GPU, typicky na křemíkovém interposeru
GPU Vega 20 se čtyřmi čipy HBM2 po obvodu (Zdroj: techPowerUp)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: LegitReviews)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: Hardware.fr)
HBM2 na GPU Volta od Nvidie, opět po obvodu čipu. Křemíky jsou zde obklopené pryskyřicí
NAND od Hynixu, se snímky celých nerozřezaných křemíkových desek, z nichž je tvořena
SSD a čipy NAND od Hynixu
QLC NAND vyrobená Toshibou
Čipy NAND od Samsungu, pátá generace V-NAND tpyu TLC s kapacitou 256 Gb (32 GB)
96vrstvý čip BiCS4 neboli 3D NAND od Toshiby
Čip NAND Flash od Toshiby - respektive all-in-one úložiště typu eMMC
UFS úložiště od Samsungu, modernější a výkonnější náhrada eMMC Zdroj: Samsung
SSD v provedení modulů M.2
Paměťové karty SD. Vlevo běžná, vpravo s přídavnými kontakty pro režimy UHS-II/III (Foto: RaphAstronome, Wikimedia Commons)
Nyní jste přihlášeni a můžete přidat komentář. Používáním webu souhlasíte s podmínkami ochrany osobních údajů.