Náskok Intelu ve výrobních procesech dohnán? Samsung začal vyrábět na 14 nm

0

Ačkoliv zpoždění 14nm procesu Intelu dalo „nefanouškům“ příležitost mluvit o tom, že se nadvláda Intelu v oblasti výrobní technologie začíná rozpadat, přišly procesory Broadwell opět na trh v předstihu před veškerou konkurencí. Nicméně tentokrát asi opravdu nebude náskok polovodičového obra tak dramatický. Zdá se totiž, že své 14nm čipy už začal vyrábět Samsung.

Korejská společnost oznámila start masové výroby na vlastním 14nm procesu před dvěma dny. Prvním čipem z tohoto procesu má být mobilní SoC z řady Exynos Octa, kterou vyvíjí přímo Samsung. Není bohužel specifikováno, jaká varianta procesu je použita, nejspíš ale půjde o odrůdu 14LPE („low power early“), tedy úspornou variantu. Procesy určené pro čipy s nízkou spotřebou obyčejně bývají finalizovány dříve, než „výkonné“ varianty určené pro čipy s vyššími frekvencemi.

Oficiální tisková zpráva je na detaily extrémně skoupá, nicméně podle webu AnandTech by oním premiérovým procesorem měl být Exynos 7420. Půjde o 64bitové hybridní osmijádro typu big.LITTLE. Pokročilejší výroba s FinFETy umožnila zvednou takty – klastr s čtyřmi výkonnými jádry Cortex-A57 má běžet až na 2,1 GHz, zatímco 20nm Exynos 5433 má u nich strop už na 1,9 GHz. Čip také bude umět další technologickou novinku: paměť LPDDR4 s nižší spotřebou a vyšším výkonem než u LPDDR3.

Zpracované wafery s čipy v cleanroomu

Podle Samsungu je 14nm proces až o 35 % lepší než 20nm co se týče spotřeby čipů, alternativně s ním lze údajně zvýšit výkon až o 20 %. Možné je to díky tomu, že planární tranzistory byly nahrazeny 3D tranzistory typu FinFET, které mají lepší vlastnosti, ale jsou náročnější na výrobu. Jedná se vlastně o totéž, co Intel pod označením „Tri-Gate“ nasadil u svého 22nm procesu už v roce 2012. Uvedená procenta jsou ale samozřejmě marketingová čísla – jak moc stoupne výkon reálných čipů, ukáží až testy.

 

 

Není 14 nm jako 14 nm

Je pravda, že náskok Intelu se tímto stahuje – zejména když uvážíme, že u Samsungu mohou zakázkové vyrábět i další firmy, což údajně využije NvidiaAMD. Neznamená to ale, že by v tuto chvíli byly obě společnosti na stejné úrovni. Samsung totiž svůj první proces s FinFETy založil na infrastruktuře předchozího 20nm procesu (ale totéž platí pro GlobalFoundries nebo 16nm proces TSMC). Kovové vrstvy jsou u obou technologií stejné, a zlepšených vlastností je dosaženo čistě tím, že se použijí FinFETy místo planárních tranzistorů. 14nm proces by tak proti 20nm ani neměl příliš zvýšit hustotu tranzistorů jako by tomu u plnohodnotného přechodu na nižší stupeň litografie mělo být. Dalo by se tedy říct, že tento 14nm postup je ve skutečnosti jen „20nm + FinFET“. Naproti tomu Intel má u svého 14nm postupu škálování skutečné a čipy vyrobené u něj by tedy měly mít lepší parametry.

I samo nasazení FinFETů bychom nicméně měli brát jako pozitivní fakt, který by mohl pomoci zase oživit nabídku výrobních technologií. Zvláště pak proto, že poslední planární generace na 20nm byla poměrně velkým zklamáním. Teď ale ještě musíme počkat, až se tyto čipy dostanou do praxe. Zas tak rychle to asi nebude, protože v mobilech se teprve teď začaly objevovat SoC vyrobené na 20nm procesu. Jejich 14nm následovníci tak přes aktuální rozjezd výroby prvního z nich asi ještě několik měsíců na trhu nebudou, nebo alespoň ne v moc velkém počtu.

Zdroje: Samsung, AnandTech

Ohodnoťte tento článek!