3nm výrobní proces Samsungu 3GAE s tranzistory typu GAAFET/MBCFET #1 #2/7

Od
Jan Olšan
-
0
zpět na článek
Samsung 3nm proces s MBCFETy 3GAE 03 GAAFET s nanodrátky (vlevo) a MBCFET s nanodestičkami (vpravo)

Ohodnoťte tento článek!
Jan Olšan
Pokrývač aktuálního dění v PC hardwaru pro Cnews.cz * Má rád: sranda, levný hardware, x86, nemoderní umění, slušnost, ekologie, Tolkien * Nerád: trollové, nespravedlnost, snobí hardware, prosciutto