Qimonda má Buried Wordline

0

V únoru tohoto roku Qimonda odhalila některé své plány do budoucna. Tehdy se hovořilo mimo jiné o technologii Buried Wordline DRAM, která má snížit elektrický odpor paměťové buňky a tak snížit spotřebu celého čipu, nebo mu umožnit při stále přijatelné spotřebě pracovat na vyšší frekvenci.

Nyní se Qimonda pochlubila, že začala ve velkém vyrábět paměťové čipy využívající Buried Wordline; jedná se o DDR2 s kapacitou 1 Gbit vyráběné 65nm postupem, přesně jak si společnost dopředu naplánovala. Zatím bude její továrna v Drážďanech tyto čipy vyrábět v počtu několika stovek waferů měsíčně, postupně bude ale pro Buried Wordline DRAM uvolňovat více kapacity.

Zároveň má Qimonda už první hotové vzorky 2Gbit DDR3 čipů vyráběných 46nm procesem, taktéž s využitím technologie Buried Wordline. Tyto by se měly začít masově vyrábět přibližně v polovině roku 2009 a ve své kategorii (tedy DDR3 zařízení s kapacitou 2 Gbit) by měly být nejmenší. Neboť jak si můžete všimnout na roadmapě, současně s Buried Wordline zavádí Qimonda prostorově úspornější (6F2) paměťové buňky.

Zdroj: TechConnect Magazine

Ohodnoťte tento článek!