Qimonda o DRAM budoucnosti

0

 

Qimonda včera pořádala tiskovou konferenci, na které se mluvilo mimo jiné o nových postupech výroby DRAM čipů. Společnost představila plán, podle kterého do roku 2011 přejde na 30nm výrobu. A hovořilo se i o dalších technologiích, zejména pak o „Buried Wordline DRAM“.

  

Podle popisu výhod Buried Wordline DRAM se zdá, že jde o nějakou temnou magii. Posuďte sami: technologie má přinést nižší spotřebu energie, což ji předurčuje pro použití v mobilních zařízeních, zároveň má ale dosahovat vysokého výkonu.

  

 

Strukturu DRAM čipu tvoří mřížka „bitline“ a „wordline“, na jejichž průsečících jsou samotné bity a také kondenzátory. Běžně mají kondenzátory kontakt s bitline i wordline, u Buried Wordline DRAM se ale wordline nachází v nižší vrstvě a s kondenzátorem kontakt nemá. Díky tomu je odpor celého obvodu nižší a odtud plyne nižší proudový odběr. Použity jsou běžné kondenzátory, takže cena se nešplhá do závratných hodnot. Technologie Buried Wordline bude nejprve implementována u 65nm procesu, ale počítá se s jejím nasazením u technologií až v řádu 30-40 nanometrů.

V roce 2011 se chystá další inovace, a to přechod na 4F2 paměťovou buňku. Toto číslo udává velikost paměťové buňky – dnes se běžně používá 8F2 nebo 6F2. Do technických podrobností nemá smysl zabíhat, vězte ale, že čím nižší F2, tím je buňka menší. Implementace s sebou ale nese jisté překážky, jejichž překonání stojí další tranzistory, a proto má snižování F2 větší opodstatnění u pokročilejších výrobních postupů.

Zdroj: Qimonda

Ohodnoťte tento článek!

1 komentář

  1. Zajímavé. Nedávno jsem četl, že právě AMD bude mít s další nutnou miniaturizací v budoucnu problémy, zejména kvůli podstatně menším finančním možnostem v porovnání s Intelem. Ale ve spolupráci s jinými vyspělými společnostmi by mohlo být všechno ještě jinak.

  2. nie som v tejto oblasti doma, ale cca pred rokom (mozno i viac) som niekde cital, ze existuje nejaka fyzikalna hranica, po ktoru sa da ist (mam dojem, ze 22 nm), a dalej zmensovat je nemozne, pretoze su tam slabe izolacie a dochadza k unikom prudu, ze sa musi prejst na molekulove tranzistory…takze je to pravda, alebo sa inzinieri vtedy mylili?