Hlavní navigace

Samsung začal vyrábět 5500MHz paměti LPDDR5 pro mobily s kapacitou až 12 GB

18. 7. 2019

Sdílet

V telefonech dnes máme mobilní paměti LPDDR4/LPDDR4X, ale už je zdá se blízko přechod na novou generaci operačních pamětí LPDDR5, která je postupně nahradí a měla by být úspornější i výkonnější. Samsung už loni ohlásil start výroby prototypů a teď oznámil už druhý paměťový čip tohoto nadcházejícího standardu, který zvedá kapacitu a umožní do telefonů osadit 12 GB RAM, tedy stejnou kapacitu, jakou před čtyřmi měsíci Samsung začal nabízet u paměti LPDDR4X.

Dnes korejský koncern oznámil, že už začal vyrábět (lépe řečeno, začal se sériovou výrobou) mobilní paměti LPDDR5 s kapacitou 12 Gb, které by měly být první tohoto typu na světě. Jde o čipy vyráběné druhou generací procesu 10nm třídy („1Y nm“), není tedy řečeno úplně přesně „kolikananometrový“ tento proces je, ale dřívější odhady měly za to, že 1Ynm technologie Samsungu by mohla být někde na úrovni 15nm nebo možná 16nm procesu.

Čipy s kapacitou 12Gb (gigabitů) – neboli 1,5 GB umožní zvýšit celkovou kapacitu paměti v zařízení o 50 % proti 8Gb (1GB). Samsung už plánuje i výrobu patřičného vícečipového pouzdra, v němž by bylo naštosovaných osm těchto křemíků, takže by pak celý čip (přesněji poudzro) mělo kapacitu oněch 12 GB. Tento typ paměti by se tedy měl v budoucnu objevit v nějakých highendových telefonech, podle Samsungu se 12GB balení začne sériově vyrábět do konce tohoto měsíce. Již od června by měla běžet výroba 6GB verze, v níž jsou čtyři 12Gb čipy.

Zda budou LPDDR5 používat třeba už procesory Exynos nadcházející generace (nebo Snapdragon 865 od Qualcommu), teprve uvidíme. Bez podpory mobilních SoC se nové paměti samozřejmě nemohou začít používat, takže by se přes již začatou masovou výrobu mohl jejich příchod na trh odložit.

Samsung 15gb lpddr5 01 12Gb paměti LPDDR5 od Samsungu

Podle Samsungu bude energetická efektivita a výkon špičkou toho, co paměťový průmysl nyní umí. Paměť bude oficiálně podporovat efektivní rychlost 5500 MHz, tedy skoro o 29 % vyšší propustnost než nynější LPDDR4X na 4266 MHz efektivně. Tato frekvence dává propustnost 44 GB/s při 64bitovém zapojení (což je u LPDDR dvoukanálové). Paměť také má potřebovat až o 30 % méně energie než předchůdce, ale není řečeno, zda se tím myslí LPDDR4X, případně zda nejde o srovnání na nižší frekvenci než je 5500 MHz.

Pokud je vám divné, že paměti úspornějšího typu používané v mobilech běží už docela dlouho na vyšších přenosových frekvencích než to, co máme v desktopech, je to tím, že DDR4 musí podporovat delší dráhy vodičů na základních deskách a přechod přes až dvě socketová rozhraní (slot DIMM, socket CPU), která komplikují implementaci a zvedají nároky na signál. Naproti tomu LPDDR se používá u procesorů přímo připájených na desku a paměť je také osazená napevno, navíc maximální vzdálenost, kterou signál překonává na PCB, je hodně malá. Někdy je dokonce čip s DRAM posazený přímo na mobilní procesor, to je tzv. pouzdro PoP. Ze stejných důvodů mají vyšší výkon (efektivní takty) také paměti GDDR.

Samsung podle své tiskové zprávy na tuto 12Gb paměť naváže vyvinutím křemíku s kapacitou 16 Gb (2 GB), opět na bázi technologie LPDDR5. Ta se má objevit příští rok, ale je možné, že nasazení pak nastane až v roce 2021. Každopádně takové čipy by už umožnily mít v mobilu 16 GB operační paměti, což ponouká k myšlenkám, že by na takových telefonech nebyly k zahození virtualizační hypervizory, jelikož by člověk už nejspíš mohl pohodlně spustit Windows 10 pro ARM.

Galerie: Jak vypadají čipy DRAM pro operační paměti a NAND Flash pro SSD

Byl pro vás článek přínosný?