V polovině loňského roku
představila společnost Samsung své první paměťové čipy vyráběné
40nm procesem a datové hustotě 2Gb (Gigabity) na jeden čip. Nyní
výrobce oznamuje začátek masové výroby „větších“, 4Gb čipů.
Samsung je tak schopen vyrábět moduly o kapacitě až 32 GB a 16GB
moduly se spotřebou nižší až o 35 % oproti svým předchůdcům.
Rovněž přišel s tvrzením, že čipy vyráběné 40nm procesem budou
tvořit až 90 % celkové produkce všech DDR DRAM čipů společnosti.

Nové čipy jsou schopny
pracovat při napětí 1,5 i 1,35 voltu, což odpovídá standardům
JEDEC DD3 resp. DDR3L. Samsung upozorňuje hlavně na nízkou
spotřebu modulů osazených 4Gb čipy a demonstruje jí na příkladu
z oblasti serverů. Spotřeba šesti RDIMM (Registered DIMM) modulů
o celkové kapacitě 96 GB s 1Gb čipy DDR2 na 60nm činí podle Samsungu
210 W. Totožný počet modulů o stejné kapacitě ale s 40nm 2Gb DDR3
čipy potřebuje 55 W a s novými 40nm 4Gb DDR3 čipy údajně jen 36 W.
Nové čipy tedy v tomto srovnání snižují celkovou spotřebu modulů
až o 83 %.

Společnost už zařadila
do své nabídky 32GB a 16GB RDIMM moduly pro servery společně s notebookovými
SODIMM moduly o kapacitě 8 GB.

Zdroj: Samsung

Ohodnoťte tento článek!