Do mobilů míří superrychlé úložiště. Samsung vyrobil čip, který zvládne 2100 MB/s

0
Samsung eUFS 3.0 512GB
Samsung eUFS 3.0 512GB

Rok po uvedení nového rozhraní UFS 3.0, které do mobilních zařízení přinese úložiště s propustností až 2,3 GB/s, přichází i první takto vybavený čip. Vyrobil jej Samsung a má kapacitu 512 GB. Korejská společnost do jednoho pouzdra uložila řadič a osm 512Gb křemíků, každý je tvořen z 96 vrstev V-NAND pamětí páté generace.

Rychlosti nedosahují teoretického maxima samotného rozhraní, ale násobí současné hodnoty. Při sekvenčním čtení Samsung slibuje až 2100 MB/s, u zápisu 410 MB/s. V náhodném přístupu dosahují čtení i zápis přes 60 000 IOPS. To za sebou spolehlivě nechává všechny dosavadní čipy.

Podporu UFS 3.0 již mají moderní čipsety Snapdragon 855 a Exynos 9820, první mobily jimi vybavené ale zatím využívají starší rozhraní UFS 2.1. Na něm Samsung v lednu představil první mobilní 1TB flashovou paměť, kterou již využívá v telefonu Galaxy S10+.

Samsung již spustil velkovýrobu 128- a 512GB čipů eUFS 3.0, v druhé polovině roku nabídne i 256GB a 1TB model. Evidentně tak budou připraveny pro Galaxy Note10.

Srovnání rychlostí úložišť
Úložiště Sekvenční čtení Sekvenční zápis Náhodné čtení Náhodný zápis
512GB eUFS 3.0 (02/2019) 2100 MB/s 410 MB/s 63 000 IOPS 68 000 IOPS
1TB eUFS 2.1 (01/2019) 1000 MB/s 260 MB/s 58 000 IOPS 50 000 IOPS
512GB eUFS 2.1 (11/2017) 860 MB/s 255 MB/s 42 000 IOPS 40 000 IOPS
256GB UFS Card (07/2016) 530 MB/s 170 MB/s 40 000 IOPS 35 000 IOPS
256GB eUFS 2.0 (02/2016) 850 MB/s 260 MB/s 45 000 IOPS 40 000 IOPS
128GB eUFS 2.0 (01/2015) 350 MB/s 150 MB/s 19 000 IOPS 14 000 IOPS
eMMC 5.1 250 MB/s 125 MB/s 11 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 5.0 250 MB/s  90 MB/s  7 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 4.5 140 MB/s  50 MB/s  7 000 IOPS  2 000 IOPS

Do mobilů míří superrychlé úložiště. Samsung vyrobil čip, který zvládne 2100 MB/s
Ohodnoťte tento článek!
4.6 (92.73%) 11 hlas/ů