Samsung vyrobil 512GB čip pro mobily. Rychlost se blíží špičkovým SSD

0
samsung eufs 31 1600
Samsung eUFS 3.1 512GB
-
Zdroj: Samsung

Měsíc a pár dní od představení standardu UFS 3.1 již Samsung začal s masovou výrobou prvních takto specifikovaných čipů. Oproti dřívějším UFS 3.0 zvyšují hlavně rychlost zápisu, svižnější ale budou také náhodné přístupy.

Sekvenční čtení se nemění, čip dosahuje až 2100 MB/s, což je jen kousek od teoretického maxima samotného rozhraní. Sekvenční zápis ale zrychlil trojnásobně na 1200 MB/s. Co už Samsung tají, je fakt, že takovou propustnost nelze dosáhnout konzistentně na celé kapacitě, ale jen do vyčerpání tzv SLC cache. Úložiště pro mobily a tablety se tak špičkovým počítačovým SSD přibližují nejen rychlostmi, ale také použitím různých triků. Náhodné čtení je pak o 60 % a zápis o 3 % rychlejší než dřív.

Čip se objeví v prvních vlajkových mobilech ještě letos, pravděpodobně jej najdeme v řadě Galaxy Note20. Samsung bude úložiště vyrábět v kapacitách 128, 256 a 512 GB. Produkci má na starost továrna páté generace v čínském Si-anu. Později pomůže i fabrika v korejském Pchjongtcheku, kde Samsung připravuje linky na šestou generaci V-NAND pamětí.

Srovnání rychlostí úložišť
Úložiště Sekvenční čtení Sekvenční zápis Náhodné čtení Náhodný zápis
512GB eUFS 3.1 (03/2020) 2100 MB/s 1200 MB/s 100 000 IOPS 70 000 IOPS
512GB eUFS 3.0 (02/2019) 2100 MB/s 410 MB/s 63 000 IOPS 68 000 IOPS
1TB eUFS 2.1 (01/2019) 1000 MB/s 260 MB/s 58 000 IOPS 50 000 IOPS
512GB eUFS 2.1 (11/2017) 860 MB/s 255 MB/s 42 000 IOPS 40 000 IOPS
256GB UFS Card (07/2016) 530 MB/s 170 MB/s 40 000 IOPS 35 000 IOPS
256GB eUFS 2.0 (02/2016) 850 MB/s 260 MB/s 45 000 IOPS 40 000 IOPS
128GB eUFS 2.0 (01/2015) 350 MB/s 150 MB/s 19 000 IOPS 14 000 IOPS
eMMC 5.1 250 MB/s 125 MB/s 11 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 5.0 250 MB/s  90 MB/s  7 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 4.5 140 MB/s  50 MB/s  7 000 IOPS  2 000 IOPS

Zdroj: Samsung

Samsung vyrobil 512GB čip pro mobily. Rychlost se blíží špičkovým SSD
Ohodnoťte tento článek!
5 (100%) 5 hlas/ů