Samsung letos vydá 64vrstvou V-NAND. Čipy mají 512 Gb, zdvojnásobí kapacity SSD

0

Jako loni v srpnu v době průchodu roje Perseid se opět koná Flash Memory Summit, technologická konference týkající se nevolatilních pamětí a SSD (už včera jsme ostatně informovali, že se zde Seagate pochlubil prototypem 60TB SSD). Samsung si na tuto příležitost nachystal něco dost podobného, zejména ale oznámil novou generaci své technologie vrstvených paměťových čipů, tzv. V-NAND, od níž se patrně dočkáme slušného skoku v kapacitách SSD.

 

64vrstvé čipy NAND ještě letos

Samsung je první firma, která vrstvené čipy NAND dotáhla do komerčního nasazení (a to se slušným náskokem). Začala na 24 vrstvách, v úspěšném SSD 850 Pro přišla již s druhou generací o 32, letos se na trh dostaly 256Gb čipy s 48 vrstvami (například v 4TB verzi 850 Evo, nebo v externím SSD T3). V docela rychlém sledu se má na trh dostat už čtvrtá generace. Samsung by podle své tiskové zprávy měl představit nějaké produkty s touto technologií již tento rok, v jeho čtvrtém kvartále.

V-NAND čtvrté generace zvýší počet vrstev na 64. Samsung není první, kdo takové paměti oznámil, stihl to před ním tandem WD-Toshiba, jejichž paměti Bi-CS třetí generace mají stejný počet vrstev. Samsung ale jednak asi bude mít výrobky dříve reálně dostupné, hlavně ale jeho 64vrstvé čipy přinesou vyšší kapacity. Mají totiž poskytovat prostor již 512Gb – tedy 64 GB – na jeden kousek křemíku. Ta je dnes bezprecedentní, jen Micron s Intelem letos začali používat 384Gb čipy typu TLC. Zda je i čip Samsungu typu TLC, nevíme, je to však pravděpodobné.

Velikost 64 GB je dvojnásobkem toho, co Samsung doposud měl. Bude svým způsobem i problematická, jelikož na osmikanálovém řadiči bude možno založit nejméně 512GB SSD. Pro levnější produkty tedy Samsung asi ještě dlouho bude vyrábět starší čipy druhé a třetí generace, které mají kapacity 128 a 256 Gb. To asi také vysvětluje, proč se mu vyplatí uvádět novou generaci technologie možná s méně než roční prodlevou po té třetí, která se teprve začala prosazovat.

 

Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB

 

32TB SSD v 2,5″ provedení

Zdvojnásobení velikosti jednoho čipu otevře Samsungu cestu k výrobě SSD s adekvátně zvýšenou kapacitou – a přesně takové produkty také korejský koncern na Flash Memory Summitu prezentoval. První z nich bude opět ždímat lukrativní enterprise trh, stejně jako disk PM1633a s kapacitou 15,36 TB, který byl prvně oznámen loni. Příští rok na něj Samsung naváže údajně 32TB diskem s rozhraním SAS a zřejmě s označením PM1643, který bude založený právě na nové V-NAND čtvrté generace.

Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB
Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB

Tento disk má být složen z celkem 512 čipů. Vždy 16 kousků V-NAND křemíku s kapacitou 512 Gb bude naštosováno v jednom pouzdře, které tím pádem poskytne samo o sobě 1 TB. Připravovaný velikán bude tedy potřebovat 32 těchto pouzder. Zajímavé na tom je, že se na rozdíl od 60TB Seagatu stále vejde do 2,5″ pouzdra (patrně s výškou 15 mm), což je pro zahuštění velkého množství dat do omezeného prostoru v serverovém racku velké plus. Disk by tedy v serverech měl automaticky dosáhnout dvojnásobného diskového prostoru proti dnešním PM1633a, pochopitelně ale za velkou cenu.

Tento disk se má začít vyrábět v příštím roce, přesnější časové umístění zatím nemáme. PM1633a je reálně dostupné zhruba od poloviny roku, a u tohoto 32TB modelu by to možná mohlo být podobné. Také Samsung jinak počítá s dalším růstem kapacit, byť možná v o něco pomalejším tempu – společnost uvádí, že do roku 2020 se dočkáme disků s kapacitou přes 100 TB. Jen doufejme, že budou ceny za 1 TB klesat rychleji než dnes, jinak totiž taková SSD budou cenově velmi nedostupná.

 

1TB v mini SSD vážícím 1 gram

512Gb čipy se zároveň uplatní i na druhém konci spektra, v mobilních zařízeních. Samsung je hodlá upotřebit také ve svých miniaturních SSD, které mají NAND, DRAM i řadič integrované v jediném malém pouzdru BGA. V červnu Samsung v této řadě odhalil NVMe úložiště s kapacitou 512 GB, které by mělo pracovat s 256Gb čipy V-NAND třetí generace. Čtvrtá 512Gb generace dovolí přímočaře zvětšit kapacitu na dvojnásobek, a ono mini-SSD v jediném „švábu“ tudíž bude dostupné už v kapacitě 1TB. Půjde o ideální úložiště pro tablety či ultramobilní notebooky, zároveň je totiž velmi lehké (1 g). Samsung údajně pouzdro zmenšil o 50 %, přičemž starší BGA úložiště měla velikost 16 × 20 mm. Plocha novinky by tedy snad mohla být někde okolo 10 × 16 mm.

BGA SSD v jednom pouzdře s kapacitou 1 TB
BGA SSD v jednom pouzdře s kapacitou 1 TB

Toto SSD má podle Samsungu mít čipy TLC (čímž se asi potvrzuje, že ona 512Gb kapacita používá tento druh zápisu; teoreticky by ale Samsung mohl vyrobit zároveň i stejně „prostornou“ variantu MLC, jenže to by byl jiný a fyzicky větší čip) a k nim mězipaměť typu LPDDR4 a řadič vyvinutý Samsungem. Rychlost zápisu má být údajně až 900 MB/s a čtení 1500 MB/s, saturoval by tedy minimálně dvě linky PCI Express 3.0.

 

 

Z-SSD

Na bázi V-NAND čtvrté generace má být vytvořeno ještě jedno nové úložiště, které Samsung tituluje „Z-SSD“, Má přinést vysoký výkon a údajně až čtyřnásobně zkrácené latence; ve srovnání se Samsungem PM963 prý zase nabídne až 1,6× rychlé čtení (což by mělo znamenat něco okolo 2560 MB/s). O tomto disku ale Samsung již nic dalšího nesdělil a tak zatím netušíme, jak moc speciální bude. Podle fotografií v tiskové zprávě jde zřejmě o NVMe kartu do slotu PCI Express, což ovšem není nic nového. Z-SSD má být uvedeno opět příští rok, takže se snad dozvíme víc během následujících měsíců.

Samsung Z-SSD

Samsung Z-SSD
Samsung Z-SSD

Zdroj: Samsung

Samsung letos vydá 64vrstvou V-NAND. Čipy mají 512 Gb, zdvojnásobí kapacity SSD

Ohodnoťte tento článek!
5 (100%) 1 hlas/ů