Samsung letos vydá 64vrstvou V-NAND. Čipy mají 512 Gb, zdvojnásobí kapacity SSD

0

Jako loni v srpnu v době
průchodu roje Perseid se opět koná Flash Memory Summit,
technologická konference týkající se nevolatilních pamětí
a SSD (už včera jsme ostatně informovali, že se zde Seagate
pochlubil prototypem
60TB SSD
). Samsung si na tuto příležitost nachystal něco dost
podobného, zejména ale oznámil novou generaci své technologie
vrstvených paměťových čipů, tzv. V-NAND, od níž se patrně
dočkáme slušného skoku v kapacitách SSD.

 

64vrstvé čipy NAND ještě letos

Samsung je první firma, která
vrstvené čipy NAND dotáhla do komerčního nasazení (a to se
slušným náskokem). Začala na 24 vrstvách, v úspěšném
SSD 850 Pro přišla již s druhou generací o 32, letos se
na trh dostaly 256Gb
čipy s 48 vrstvami
(například v 4TB
verzi 850 Evo
, nebo v externím
SSD T3
). V docela rychlém sledu se má na trh dostat už
čtvrtá generace. Samsung by podle své tiskové zprávy měl
představit nějaké produkty s touto technologií již tento
rok, v jeho čtvrtém kvartále.

V-NAND čtvrté generace zvýší počet
vrstev na 64. Samsung není první, kdo takové paměti oznámil,
stihl to před ním tandem WD-Toshiba, jejichž paměti
Bi-CS třetí generace
mají stejný počet vrstev. Samsung ale
jednak asi bude mít výrobky dříve reálně dostupné, hlavně ale
jeho 64vrstvé čipy přinesou vyšší kapacity. Mají totiž
poskytovat prostor již 512Gb – tedy 64 GB – na jeden
kousek křemíku. Ta je dnes bezprecedentní, jen Micron s Intelem
letos začali používat 384Gb čipy typu TLC. Zda je i čip
Samsungu typu TLC, nevíme, je to však pravděpodobné.

Velikost 64 GB je dvojnásobkem toho,
co Samsung doposud měl. Bude svým způsobem i problematická,
jelikož na osmikanálovém řadiči bude možno založit nejméně
512GB SSD. Pro levnější produkty tedy Samsung asi ještě dlouho
bude vyrábět starší čipy druhé a třetí generace, které
mají kapacity 128 a 256 Gb. To asi také vysvětluje, proč se
mu vyplatí uvádět novou generaci technologie možná s méně
než roční prodlevou po té třetí, která se teprve začala
prosazovat.

 

Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB

 

32TB SSD v 2,5″ provedení

Zdvojnásobení velikosti jednoho čipu
otevře Samsungu cestu k výrobě SSD s adekvátně
zvýšenou kapacitou – a přesně takové produkty také
korejský koncern na Flash Memory Summitu prezentoval. První z nich
bude opět ždímat lukrativní enterprise trh, stejně jako disk
PM1633a
s kapacitou 15,36 TB
, který byl prvně oznámen loni.
Příští rok na něj Samsung naváže údajně 32TB diskem
s rozhraním SAS a zřejmě s označením PM1643, který bude
založený právě na nové V-NAND čtvrté generace.

Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB
Samsung PM1643 má mít kapacitu až 32 TB

Tento disk má být složen z celkem
512 čipů. Vždy 16 kousků V-NAND křemíku s kapacitou 512 Gb
bude naštosováno v jednom pouzdře, které tím pádem
poskytne samo o sobě 1 TB. Připravovaný velikán bude
tedy potřebovat 32 těchto pouzder. Zajímavé na tom je, že se na
rozdíl od 60TB Seagatu stále vejde do 2,5″ pouzdra (patrně
s výškou 15 mm), což je pro zahuštění velkého
množství dat do omezeného prostoru v serverovém racku velké
plus. Disk by tedy v serverech měl automaticky dosáhnout
dvojnásobného diskového prostoru proti dnešním PM1633a,
pochopitelně ale za velkou cenu.

Tento disk se má začít vyrábět
v příštím roce, přesnější časové umístění zatím
nemáme. PM1633a je reálně dostupné zhruba od poloviny roku,
a u tohoto 32TB modelu by to možná mohlo být podobné.
Také Samsung jinak počítá s dalším růstem kapacit, byť
možná v o něco pomalejším tempu – společnost
uvádí, že do roku 2020 se dočkáme disků s kapacitou přes
100 TB. Jen doufejme, že budou ceny za 1 TB klesat rychleji než
dnes, jinak totiž taková SSD budou cenově velmi nedostupná.

 

1TB v mini SSD vážícím 1 gram

512Gb čipy se zároveň uplatní i na
druhém konci spektra, v mobilních zařízeních. Samsung je
hodlá upotřebit také ve svých miniaturních SSD, které mají
NAND, DRAM i řadič integrované v jediném malém pouzdru
BGA. V červnu Samsung v této řadě odhalil NVMe
úložiště s kapacitou 512 GB
, které by mělo pracovat
s 256Gb čipy V-NAND třetí generace. Čtvrtá 512Gb generace
dovolí přímočaře zvětšit kapacitu na dvojnásobek, a ono
mini-SSD v jediném „švábu“ tudíž bude dostupné už
v kapacitě 1TB. Půjde o ideální úložiště pro
tablety či ultramobilní notebooky, zároveň je totiž velmi lehké
(1 g). Samsung údajně pouzdro zmenšil o 50 %,
přičemž starší BGA úložiště měla velikost 16 × 20 mm.
Plocha novinky by tedy snad mohla být někde okolo 10 × 16 mm.

BGA SSD v jednom pouzdře s kapacitou 1 TB
BGA SSD v jednom pouzdře s kapacitou 1 TB

Toto SSD má podle Samsungu mít čipy
TLC (čímž se asi potvrzuje, že ona 512Gb kapacita používá
tento druh zápisu; teoreticky by ale Samsung mohl vyrobit zároveň
i stejně „prostornou“ variantu MLC, jenže to by byl jiný
a fyzicky větší čip) a k nim mězipaměť typu
LPDDR4 a řadič vyvinutý Samsungem. Rychlost zápisu má být
údajně až 900 MB/s a čtení 1500 MB/s, saturoval by tedy
minimálně dvě linky PCI Express 3.0.

 

 

Z-SSD

Na bázi V-NAND čtvrté generace má
být vytvořeno ještě jedno nové úložiště, které Samsung
tituluje „Z-SSD“, Má přinést vysoký výkon a údajně až
čtyřnásobně zkrácené latence; ve srovnání se Samsungem
PM963 prý zase nabídne až 1,6× rychlé čtení (což by mělo
znamenat něco okolo 2560 MB/s). O tomto disku ale Samsung již
nic dalšího nesdělil a tak zatím netušíme, jak moc
speciální bude. Podle fotografií v tiskové zprávě jde
zřejmě o NVMe kartu do slotu PCI Express, což ovšem není
nic nového. Z-SSD má být uvedeno opět příští rok, takže se
snad dozvíme víc během následujících měsíců.

Samsung Z-SSD

Samsung Z-SSD
Samsung Z-SSD

Zdroj: Samsung

Samsung letos vydá 64vrstvou V-NAND. Čipy mají 512 Gb, zdvojnásobí kapacity SSD
Ohodnoťte tento článek!
5 (100%) 1 hlas/ů