Samsung má první paměťové moduly DDR4

0

Samsung Electronics oznámil, že v minulém měsíci dokončil vývoj prvního DRAM modulu typu DDR4 vyráběného 30nm výrobním procesem.

Nové paměti DDR4 jsou schopné dosáhovat přenosových rychlostí 2,133 Gb/s, což má být startovací rychlost nové generace pamětí (předpokládaná horní hranice je zatím 4,266 Gb/s). Zatímco u ekvivalentních 30nm pamětí typu DDR3 je standardní napájení 1,35 V (DDR3L) a 1,5 V (DDR3), pro napájení DDR4 stačí 1,2 V. Podle výrobce to má u notebooků v praxi znamenat ve srovnání s běžnými 1,5V DDR3 až o 40 % nižší spotřebu pamětí.

S využitím nových technologií bude Samsung moci vyrábět moduly DDR4 s přenosovou rychlostí 1,666 Gb/s do 3,333 Gb/s.

Nová generace pamětí by se podle současných odhadů měla na trhu začít objevovat počátkem roku 2012.

Zdroj: TZ Samsung

Ohodnoťte tento článek!