Samsung nabízí 8GB operační paměť pro mobily, poprvé složenou z 16Gb čipů

0

Výroba operačních pamětí
v poslední době naráží na obtížné škálování na nižší
výrobní procesy, které neprobíhá tak úspěšně, jako třeba
u NAND nebo logických čipů. Ovšem pokrok zatím stále
běží – toto jaro Samung oznámil první
paměti na výrobním procesu pod hranicí 20 nm
, což byly čipy
DDR4. Nyní k nimi stejná společnost přidala také mobilní
paměti DRAM „10nm třídy“ (má se za to, že proces je 18nm),
které jsou docela zajímavé, jelikož slibují zatím nevídané
navýšení kapacity operační paměti pro mobilní telefony
a podobní zařízení.

Samsung tlačil na kapacitu pamětí
linie LPDDR už dříve, loni například přišel s prvními
čipy o velikosti 12 gigabitů (1,5 GB), zatímco u DDR4 je
zatím stále používána kapacita 8 gigabitů(1 GB). To
znamenalo, že procesory mobilních telefonů mohly mít integrovánu
6GB
paměť RAM, tvořenou pouzdrem se čtyřmi těmito čipy
. Nyní
Samsung kapacitu opět zvedá a dostává se už na 16 gigabitů
na jeden čip, neboli 2 GB. Opět jde o paměti typu
LPDDR4, podporující efektivní frekvenci 4266 MHz, která dokáže
zejména mobilním GPU dát překvapivě vysokou propustnost.

Pouzdro s 8 GB paměti LPDDR4-4266 od Samsungu. Obsahuje čtyři 16Gb čipy DRAM vyrobené 18nm technologií
Pouzdro s 8 GB paměti LPDDR4-4266 od Samsungu. Obsahuje čtyři 16Gb čipy DRAM vyrobené 18nm technologií

Na základě těchto 2GB čipů pak
Samung opět vyrobil čtyřčipové pouzdro, které se metodou PoP
může napájet přímo na mobilní SoC či jiný čip. Tato paměť
má tudíž kapacitu 8 GB, čímž se otevírá možnost mít
takto velkou RAM v mobilu. Kdy přesně se 8GB mobily s touto
LPDDR4 objeví, zatím nevíme, jelikož Samsung ještě nesdělil,
od kdy mají začít běžet komerční dodávky těchto čipů.
Možná by se ale v nějakém „vlajkovém modelu“ mohlo 8 GB
paměti objevit příští rok. Je možné, že je v roce 2017
v nějakých mobilech osadí i přímo Samsung.

 

 

Nová paměť LPDDR4 běží, jak již
bylo řečeno, efektivně na 4266 MHz. Sběrnici má celkem
64bitovou, takže telefonu dává propustnost srovnatelnou
s dvojkanálovými pamětmi DDR4 2133 MHz v desktopu
(šířka 128 bitů), 34,1 GB/s. Rozměr celého pouzdra je přitom
menší než 15 × 15 mm s tloušťkou menší než 1 mm.

Čtveřice 16Gb čipů na 18 nm má
podle Samsungu údajně mít stejnou spotřebu, jako starší 4GB
pouzdro LPDDR4-3200 (složené ze čtyř 8Gb čipů) vyrobené
technologií 20nm třídy. Pravděpodobně tak došlo k relativně
slušnému zlepšení spotřeby a asi i hustoty čipu,
Samsung se však detaily nepochlubil. Tyto čipy pravděpodobně
budou dražší než 8Gb a 12Gb verze, takže se asi objeví jen
v highendových zařízeních. Kromě mobilů by je Samsung
teoreticky mohl použít i jako mezipaměť u svých SSD.
I v těch totiž začal DRAM osazovat stylem PoP na řadič
a s nyní uvedenými čipy by takto SSD mohlo nést 8GB
mezipaměť, která by zřejmě byla párována s celkovou
kapacitou disku 8 TB.

Zdroje: Samsung,
AnandTech

Ohodnoťte tento článek!
Pokrývač aktuálního dění v PC hardwaru pro Cnews.cz * Má rád: sranda, levný hardware, x86, nemoderní umění, slušnost, ekologie, Tolkien * Nerád: trollové, nespravedlnost, snobí hardware, prosciutto