Procesor Kaby Lake-G s pamětí HBM2 (zcela vlevo). HBM jsou vrstvená pouzdra ukrávající několik vrstev čipů DRAM a logickou vrstvu, která se stará o komunikaci. Dosahují velmi vysokou propustnost, ale potřebují být integrované velmi blízko u CPU či GPU, typicky na křemíkovém interposeru
GPU Vega 20 se čtyřmi čipy HBM2 po obvodu (Zdroj: techPowerUp)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: LegitReviews)
ČIpy HBM okolo GPU Fiji: vůbec první požití této technologie v Radeonu R9 Fury X/R9 Fury/R9 Nano (Foto: Hardware.fr)
HBM2 na GPU Volta od Nvidie, opět po obvodu čipu. Křemíky jsou zde obklopené pryskyřicí
NAND od Hynixu, se snímky celých nerozřezaných křemíkových desek, z nichž je tvořena
SSD a čipy NAND od Hynixu
QLC NAND vyrobená Toshibou
Čipy NAND od Samsungu, pátá generace V-NAND tpyu TLC s kapacitou 256 Gb (32 GB)
96vrstvý čip BiCS4 neboli 3D NAND od Toshiby
Čip NAND Flash od Toshiby - respektive all-in-one úložiště typu eMMC
UFS úložiště od Samsungu, modernější a výkonnější náhrada eMMC
SSD v provedení modulů M.2
Paměťové karty SD. Vlevo běžná, vpravo s přídavnými kontakty pro režimy UHS-II/III (Foto: RaphAstronome, Wikimedia Commons)
Příští generace DRAM pro notebooky , server ya PC: Paměťové čipy DDR5 od Hynixu Zdroj: Hynix
Modul DIMM s pamětí DDR5 od Hynixu. Jde o paměť typu registered pro servery
Čipy DDR4 z produkce Samsungu
32GB modul DDR4 2666 MHz od Samsungu. Tato dual-rank paměť má po dvou stranách PCB celkem šestnáct čipů, jde o jeden z prvních modulů s 16Gb čipy, tedy s kapacitou 2 GB na jeden kousek křemíku. Tyto čipy umožní zdvojnásobit kapacity RAM v počítačích
Paměti typu registered. centrální čip hraje roli bufferu, díky kteérmu tato RAM může mít větší kapacity než běžné unregistered (UDIMM) moduly. Tyto paměti ale fungují jen v serverech a potřebují speciální desky
LPDDR4X od Samsungu. Tyto paměti jsou poslední a zatím nejvýkonnější typ RAM pro mobilní zařízení; se stejnou šířkou sběrnice mívají dokonce vyšší efektivní takty než DDR4 v PC
Paměť LPDDR4. Kontakty jsou po obvodu, aby se čip dal napájet na horní stranu mobilního SoC na kontaky po obvodu jeho vlastního substrátu
DRAM čipy typu GDDR6 od Samsungu, s efektivní rychlostí až 16,0 GHz
Militantnější fanoušci mají možná paměti HBM/HBM2 spojené s grafikami Radeon, ale tuto technologii čile používá i Nvidia. Právě na její konferenci GTC 2019 (která se letos poněkud zmatečně kryje s neutrální GDC 2019) teď Samsung odhalil nejnovější evoluci těchto pamětí: čipy HBM2E, kterým Samsung interně říká Flashbolt. Jde o dosud nejrychlejší High Bandwidth Memory, a propustnost, kterou umožní dodat grafickýcm nebo jiným procesorům, je vskutku vysoká.
HBM2E „Flashbolt“
HBM2E totiž běží efektivně na 3,2 GHz, což je víc jak o polovinu rychlejší než původní 2,0GHz (efektivně) čipy HBM2. Samsung sice mezitím již vydal 2,4GHz čipy HBM2 („Aquabolt“), proti nimž by propustnost narostla jenom o třetinu, ale ty se zatím v žádném hardwaru neukázaly. Také 3,2GHz HBM2E zatím nemá známé uplatnění, ale to, že byla uvedená na akci pořádané Nvidií, by možná mohlo ukazovat, že s ní tento výrobce GPU už pro něco počítá.
3,2GHz efektivní frekvence pamětí HBM2E znamená, že jediné pouzdro (které je opět tvořeno více čipy navrstvenými na sobě) poskytuje propustnost 410 GB/s. GPU používající 4096bitovou sběrnici (tedy jako Vega 20 nebo GV100) se čtyřmi těmito pouzdry by dostalo celkově propustnost 1,6 TB/s. A pouze 2048bitová sběrnice, jakou má Vega 10, by stačila na 819 GB/s. Tyto čipy by tedy měly umožnit vyškálovat výkon grafických karet (ať už herních, nebo možná spíš výpočetních vzhledem k ceně) o hodně výš.
16GB kapacita
Nejen rychlost bude benefitem těchto HBM2E. Samsung u nich zároveň použije 16Gb čipy DRAM, což dovolí zvýšit kapacitu na dvojnásobek. Jedno pouzdro bude schopno pojmout až 16 GB paměti, takže ono 4096bitové GPU by mohlo mít integrovaných 64 GB rychlé paměti. Pokud by Samsung použil 12 vrstev DRAM místo osmi, což umožňuje nedávno přijatá nová verze standardu HBM, mohl by kapacitu dokonce zvednout na 24 GB na jedno pouzdro.
Zatím jak už bylo řečeno nevíme, kde se tyto paměti uplatní. Sasmng uvádí, že by mohly směřovat do superpočítačů, grafických karet a akcelerátorů strojového učení/umělé inteligence/neuronových sítí. Mohou to tedy být i speciální akcelerátory mimo oblast GPU (jako je třeba NEC Aurora, Intel Nervana), ale výhledově i procesory. Existují totiž úniky, dle nichž by HBM2 mohl integrovat Intel do svých serverových procesorů Xeon generace Ice Lake-SP (objevilo se pro ně označení také ISX-SP, ISX-H). Možná technologii „Flashbolt“ uvidíme zrovna v nich.
Massive Massacr_E – tomu říkám propustnos pamětí….tedy v tom případě, že je to zapojený alespoň v „Quad Channelu“ tak, jako je to právě na GK´s ….jještě tak, kdyby to začali dělat aj do PC a teď myslím jako klasickou RAM v písadlu a ne jen do grafik 🙂