Samsung přispěchal s vlastními TLC pamětmi 3D NAND s kapacitou 256 Gb

0

Nedávno psal kolega Jan Olšan o nových 256 Gb NAND pamětech s technologií TLC, které mají na svědomí Toshiba a SanDisk. Druhá generace vrstvených čipů s kapacitou 128 Gb je již dobře zaběhnutá a v podstatě čipy využívající tuto technologii naleznete ve většině moderním SSD. Soupeří s nimi především planární čipy od Toshiby a SanDisku vyráběné 15nm výrobním procesem. Nyní se představuje třetí generace čipů, která nabídne dvojnásobnou kapacitu, a měla by se stát základem příštích SSD.

Samsung 256 Gb 3D NAND

Třetí generace NAND od Samsungu nabídne 256 Gb (32 GB) čipy, které bude tvořit 48 vrstev s 3bitovými buňkami. Předchozí generaci tvořily čipy s 32 vrstvami 3bitových buněk. Nové čipy mají až o 30 % nižší spotřebu a až o 40 % větší výtěžnost. To by se mělo projevit na nižších cenách SSD, neboť novými čipy je prakticky ihned možné nahradit stávající 128 Gb paměťové moduly. Avšak nějakou dobou potrvá, než se uplatnění nových technologií projeví na cenách disků.

Samsung hodlá začít osazovat 256 Gb NAND čipy ještě v průběhu letošního roku. Především se chce zaměřit na firemní sektor, data centra a na nejvyšší segment zastoupený disky pro rozhraní PCIe NVMe a SAS.

Zdroj: TechPowerUp

Také Toshiba představuje 3D paměti NAND pro SSD. Její BiCS má 48 vrstev

Samsung přispěchal s vlastními TLC pamětmi 3D NAND s kapacitou 256 Gb

Ohodnoťte tento článek!