Samsung už rozjel masovou výrobu 10nm procesem. Na jaře budou čipy v mobilech

3

Loni na jaře se Samsungu podařil
pozoruhodný kousek, když v telefonu Galaxy S6 uvedl jako první
14nm procesor (Exynos 7420). Vzpomínám si, že zpočátku se tomu
i trochu těžko věřilo, ale Samsung tehdy ukázal, že bude
na poli výrobních procesorů seriózně útočit na špičku (byť
tehdy samozřejmě šlo o „early“ variantu procesu). A zdá
se, že podobný kousek by se mohl Samsungu povést opět a tentokrát
by měl být první i na 10nm procesu (a zřejmě i před
Intelem, byť nominální čísla se asi nedají zcela srovnávat).

Samsung podobně jako TSMC (a narozdíl
od GlobalFoundries
) 10nm proces nevynechává a hodlá u něj
zopakovat úspěšnou strategii z 14nm generace, kdy před
dospělou variantou 14LPP uvedl ranou méně dotaženou, ale dříve
dostupnou „early“ variantu 14LPE. Korejský koncern nyní ohlásil
start masové výroby 10nm technologií, a to právě na oné na
„early“ variantě, tedy procesu 10LPE. To je samozřejmě velká
věc, neboť ukazuje, že na optimistických vizích rychlého
příchodu dalších FinFETových generací (po té první 14/16nm)
z úst továren jako je Samsung a TSMC něco bude.

 

10nm Exynosy budou v telefonech na
jaře

Samsung neuvádí, jaký přesně čip
je předmětem této masové výroby (má jít o „SoC“), po
předchozích zkušenostech je ale velmi pravděpodobné, že půjde
o jeho vlastní mobilní procesory Exynos. Na těch totiž firma
může ideálně pohlídat vyhovění různým pravidlům návrhu už
od raných fází a také maximálně zužitkovat získaný
náskok. Některé zprávy hovořily o tom, že 10nm by mohl být
čip označený Exynos 8895.

Samsung Exynos 8 Octa 8890

V roce 2015 Samsung první 14nm
čip velmi rychle dostal až do rukou zákazníků ve zmíněném
Galaxy S6 a zdá se, že i tentokrát se novinka dostane
velmi rychle do praxe, možná v Galaxy S8. Podle Samsungu mají
zařízení s 10nm procesorem jít na trh někdy v prvních
měsících roku 2017 („early next year“).

 

 

10nm proces Samsungu opět používá
3D tranzistory typu FinFET. Různými zlepšeními po fyzické
stránce, ale i jejím efektivnějším využitím při návrhu
má být podle Samsungu s 10LPE možné zmenšit plochu čipu
o 30 %. Údajně je také možné získat až 27% zlepšení
výkonu, nebo 40% redukci spotřeby při nezměněném výkonu.
Bohužel není jasné, zda zde Samsung srovnává s generací
14LPP, nebo ještě 14LPE, jelikož tisková zpráva vztahuje uvedená
čísla jen k „14nm předchůdci“ bez dalšího upřesnění.
Při výrobě je jinak také použita trojitá expozice, což
znamená, že proces bude patrně dražší než ty předchozí.

 

Posloupnost FinFETových procesů Samsungu (Zdroj: AnandTech)
Posloupnost FinFETových procesů Samsungu (Zdroj: AnandTech)

 

10LPP až za rok

Vylepšená technologie 10LPP bude mít
zřejmě na 10LPE zhruba roční odstup. Má se dočkat masové
výroby v druhé polovině roku 2017. Proces 10LPP má přinést
zlepšení výkonu, čipy budou pravděpodobně schopné pracovat na
vyšších frekvencích. Samsung také údajně plánuje další
varianty uzpůsobené pro specifická odvětví a klienty –
10nm technologie bude totiž opět určena nejen pro interní program
mobilních Exynosů, ale i nezávislým zákazníkům hledajícím
zakázkového výrobce pro své čipy.

Zdroje: Samsung,
AnandTech

Ohodnoťte tento článek!

3 KOMENTÁŘE

  1. Nevznikla chyba v preklade? To čo napísal Samsung vyzerá ako o 30% lepšie využitie plochy (na waferoch), nie shrink. Zaujímalo by ma ako to vyznelo v kórejštine.

    Inak sa už teším na tony článkov o tom, ako je to vlastne ešte stále 20nm proces, pretože 30% nieje ani na pol ceste od 20 k 14nm. 😀