Samsung začal vyrábět 136vrstvou V-NAND, zvyšuje výkon o 10 %. Už je v prvním SSD

0
Samsung V NAND 6generace SATA SSD Disk ilustrace 1600
SSD Samsung s čipy V-NAND 6. generace

Nebývale rychle po předchozí generaci, kterou oznámil jen loni v červenci, má Samsung novou, už šestou generaci vrstvených pamětí NAND Flash (které označuje V-NAND). Korejský koncern nyní oznámil, že nejen začal vyrábět tyto 3D čipy šesté generace, ale rovnou už i první SSD, které na nich bude založeno.

V-NAND páté generace z loňska používá 96 vrstev a zároveň měla i zvyšovat výkon. V-NAND šesté generace má oficiálně přes sto vrstev – firma to označuje „1xx“, jako by přímo nechtěla číslo oficiálně specifikovat, podobně jako se u výrobních procesů pro DRAM teď uvádí jen „1x nm“ nebo „1y nm“. Podle údaje na jiném místě tiskové zprávy se ale při výrobě formuje 136 fyzických vrstev, takže toto je podle všeho číslo, které chceme. Proti 96vrstvé páté generaci je to tedy nárůst o 40 %.

Při výrobě se nejprve vytvoří elektricky vodivé vrstvy a vertikální kanál, který v nich poté tvoří buňky, se do nich hloubí. Tyto díry jsou poměrně komplikované a také vyžadují dost prostoru. Díky vyššímu počtu vrstev je ale možné počet kanálů omezit. Šestá generace V-NAND má při 256Gb (32 GB) čipu potřebovat „jen“ 670 milionů vertikálních kanálů, zatímco do 96vrstvých čipů této kapacity jich Samsung vrtal 930 milionů. Čipy jsou proto menší, potřebují méně výrobních kroků a podle Samsungu je produktivita výroby vyšší až o 20 %.

Opět lepší výkon: o 10 % proti 96vrstým čipům

136vsrtvé čipy si podle Samsungu vynutily vylepšení infrastruktury a logiky na čipu, protože čím vyšší jsou svazky vrstvené NAND a kanály v nich, tím komplikovanější na přesnost výroby a náchylnější na nepřesnosti jsou. S vyšším počtem vrstev tedy roste náročnost na chyby a latence, a ECC mechanismy se musí vylepšovat. Samsung ale uvádí, že díky vylepšenému designu se mu podařilo tento faktor zvrátit a naopak výkon vylepšit. Čipy šesté generace se 136 vrstvami mají mít o 10 % lepší výkon a o 15 % nižší spotřebu energie – patrně zároveň, ne buď/a nebo. Není uvedeno výslovně, zda jde o srovnání s pátou generací, ale pravděpodobně ano. Samsung totiž ještě uvádí, že latence nových čipů při zápisu je 450 μs a při čtení 45 μs – a pro předchozí generaci uváděl 500 a 50 μs.

První 136vrstvý čip bude mít kapacitu 256 Gb (32 GB) a záznam typu TLC a bude tedy vhodný pro širokou škálu SSD i s nižšími kapacitami jako 256 GB. Tisková zpráva v tomto není tak docela jasná, ale vypadá to, že poté by měl do výroby přibýt také 512Gb čip, jenž by byl efektivnější pro velká úložiště.

Samsung V6 SSD 1
SSD Samsung s čipy V-NAND 6. generace

První SSD s 136vrstvou NAND už se vyrábí

Samsung uvádí, že samotnou NAND tohoto typu začal vyrábět již v červnu, ale minulý měsíc se přidal další milník, kdy firma na stejných čipech začala montovat i první celé SSD. Zatím ještě nebylo oznámeno jeho jméno nebo konkrétní typ, ale jde údajně o 256GB SATA disk, podle ilustračního obrázku zřejmě v klasickém 2,5″ provedení. Snad by se tedy tyto čipy mohly rychle objevit i v celkem levných zařízeních, nejen v nějakém highendu. V druhé polovině tohoto roku pak mají být použity také ve větších SSD a eUFS úložištích s kapacitami 512 GB.

Galerie: Jak vypadají čipy NAND Flash pro SSD


Samsung začal vyrábět 136vrstvou V-NAND, zvyšuje výkon o 10 %. Už je v prvním SSD
Ohodnoťte tento článek!
5 (100%) 2 hlas/ů