Samsung začal vyrábět 128GB moduly DDR4 pro servery, pomocí 3D čipů s TSV

0

Když se mluví o tom, že tzv. Moorův zákon, popisující stálé zvyšování výkonu (nebo spíše hustoty tranzistorů) čipů dnes už přestává platit, bývají na zřeteli hlavně procesory. Ovšem problém se „škálováním“ na stále menší výrobní procesy postihuje i paměti DRAM. Hlavně v serverech je však operační paměti třeba stále víc. Ke slovu tak i v pamětech přichází pokročilé technologie jako vrstvení čipů. Samsung nyní s pomocí tohoto postupu vytvořil paměťové moduly s rekordní kapacitou 128 GB. Z takových by se v dvouprocesorovém serveru s 24 DIMMy dala vytvořit RAM o kapacitě 3 TB.

Tyto moduly nyní Samsung odhalil ve své řadě serverových pamětí DDR4 – respektive oznámil, že začal s jejich masovou výrobou. Samsung ale někdy start produkce ohlašuje poměrně dlouho předtím, než se daný produkt dá reálně pořídit, takže v tuto chvíli nelze říci, zda se jeho 128GB paměti ocitnou na trhu na jaře, v létě, nebo dokonce později. Jde také o paměti typu registered („RDIMM“), takže je ani teoreticky nebude možné použít v běžném PC bez serverové desky a CPU. S odstupem několika týdnů by se měla objevit také verze LRDIMM, která ovšem stále počítá jen se serverovými deskami.

128GB modul DDR4 od Samsungu. 144 čipů je propojených pomocí TSV
128GB modul DDR4 od Samsungu. 144 čipů je propojených pomocí TSV

Moduly oficiálně podporují efektivní rychlost DDR4 2400 MHz, takže budou připravené na 14nm Xeony E5-4600/2600 v4, které by měl Intel vydat v první polovině roku 2016. Podporují samozřejmě ECC, což znamená, že na každých osm čipů připadá další redundantní. Podle Samsungu jsou základem 8Gb/1GB čipy DRAM (větší pokud vím ve výrobě zatím ani nejsou) vyráběné 20nm procesem. To znamená, že na vystrojení jednoho modulu je jich potřeba 144.

Kvůli vysokému počtu musí být vždy několik čipů osazeno do jednoho společného pouzdra, jak totiž můžete vidět, na PCB je „švábů“ jenom 36. V jednom by tedy měly být čtyři křemíky, které jsou navrstveny na sebe a propojeny pomocí technologie „Through Silicon Vias“ (TSV). To znamená, že kontakty vyšších čipů procházejí vertikálně otvory, vyvrtanými do paměťových čipů v nižších vrstvách, což vyžaduje poměrně pokročilé postupy při pouzdření, podobné jako se používají například při výrobě paměťových čipů HBM. Výhodou oproti starším technologiím, které kontakty vedly drátky po stranách naštosovaných čipů, je údajně značně snížená spotřeba.

 Vrstvené čipy propojené pomocí TSV slibují vysoké kapacity i úsporu energie
Vrstvené čipy propojené pomocí TSV slibují vysoké kapacity i úsporu energie

Podle Samsungu mají být tyto moduly prvními 128GB pamětmi DDR4 s TSV na trhu. Možná si ovšem vzpomenete, že na stejné technologii pracuje také Hynix. Tato firmy oznámila vyvinutí 128GB modulů DDR4 s TSV pouzdry už loni na jaře a konfigurace by měla být prakticky stejná, tedy 36 pouzder se 144 8Gb čipy. Tehdy se ale mluvilo o tom, že masová výroba by měla odstartovat až zhruba o rok později. V jakém stádiu jsou aktuálně, nevím. Je ale možné, že přípravy na fyzické uvedení nejsou za Samsungem o mnoho pozadu, pokud vůbec pozadu jsou.

 

 

Samsung podle tiskové zprávy plánuje na 2400MHz moduly navázat také výkonnějšími variantami, s nimiž by mohla propustnost paměťového subsystému narůst až o třetinu. Použití TSV by údajně mělo umožnit realizovat také paměti s efektivní frekvencí 2666 MHz a 3200 MHz, jež už jsou v přípravě. Nemělo by přitom asi jít o de facto přetaktované moduly jako v případě pamětí pro herní PC a nadšence, na něž jsme zvyklí v sektoru PC, ale o moduly odpovídající standardu JEDEC. U těchto ale není výslovně uvedeno, že budou ihned dostupné i v 128GB verzi. Je možné, že zprvu budou takto rychlé moduly k mání jen v nižších kapacitách. TSV ale bude použito v pamětech HBM, které Samsung také chystá.

Zdroje: Samsung (1, 2), BenchLife.info

Samsung začal vyrábět 128GB moduly DDR4 pro servery, pomocí 3D čipů s TSV

Ohodnoťte tento článek!