Samsung začal vyrábět TLC V-NAND. 3D čipy se dostanou i do levných SSD

0

Začátkem letních prázdnin uvedl Samsung oficiálně do praxe SSD 850 Pro, disky vyrobené s použitím tzv. V-NAND. Tato technologie využívá 3D-čipy, v nichž je místo tradiční jedné křemíkové vrstvy nad sebou naštosováno vrstev několik (až 32). Díky tomu lze s V-NAND získat teoreticky mnohem větší hustotu zápisu (a tedy kapacitu na jednotku plochy), Samsung ji ale dosud používal jen pro dražší modely disků. To se ovšem nyní změní, společnost totiž ohlásila rozjezd výroby další generace těchto 3D čipů, které by se už měly dostat do dostupných SSD pro široké vrstvy kupujících.

Zatímco paměti v disku SSD 850 Pro jsou typu MLC, nyní Samsung zahájil výrobu také levnějšího typu TLC. Tyto paměti do jedné buňky ukládají tři bity místo dvou u MLC (Samsung sám je označuje jako 3-bit MLC, my zde ale zůstaneme u zaběhaného pojmenování TLC). Tím pádem na stejnou plochu dostanou více dat a čip stejné kapacity je u TLC podstatně menší než u MLC. Díky tomu je paměť TLC pochopitelně pro výrobce levnější, její nevýhodou je ale nižší životnost co do počtu možných přepisů.

Samsung V-NAND

Samsung neuvádí, na jakém procesu novou TLC V-NAND vyrábí, podle prohlášení je ale výrobní produktivita více než dvojnásobná oproti tomu, co dosahuje běžná TLC NAND na výrobním procesu „třídy 1x nm“ (pod čímž se nejspíše míní 19nm proces; tento pojem znamená cokoli mezi 10 a 19 nm). Z jednoho waferu tak díky V-NAND vzejdou čipy s celkovou kapacitou více než dvojnásobnou. Přitom MLC variantu údajně Samsung vyrábí relativně zastaralým procesem (třídy 3x nebo 4x nm) a starší proces bude asi použit i u těchto pamětí typu TLC.

 

TLC V-NAND, jejíž výroba teď začíná, obsahuje stejně jako dříve uvedený typ MLC paměťové buňky uložené v 32 vrstvičkách naštosovaných na sobě. Ještě předtím vyráběl Samsung první generaci této paměti s 24 vrstvami (ta ale zřejmě putovala jen do disků třídy enterprise), takže tyto TLC čipy vlastně představují již třetí generaci technologie V-NAND. Čipy Samsung vyrábí v kapacitě 128Gb, která je dnes v podstatě standardní. Nasazení 3D výroby tedy zatím společnost nevyužila k navýšení kapacity. To lze ale částečně omluvit tím, že použití 256Gb čipů by znamenalo nižší výkon u levnějších SSD s nižší kapacitou, kvůli sníženým možnostem pro paralelizování zátěže.


TLC NAND Samsungu slavila velké úspěchy v SSD 840 Evo. Nyní ji firma zkombinovala s 3D výrobou

Na TLC variantě V-NAND by Samsung měl v budoucnu založit levnější verze svých spotřebitelských SSD, například následníka oblíbeného SSD 840 Evo. Tím by měl být model nazvaný bez překvapení SSD 850 Evo, jehož existence byla v materiálech Samsungu „vyzrazena“ již v srpnu (auguste) a můžete ji tedy brát jako hotovou věc. Tisková zpráva naznačuje, že se chystá celá „nová řada“ SSD s TLC V-NAND, která má kromě ceny zaujmout taktéž rychlostí. Od V-NAND tedy zřejmě můžeme očekávat i navýšení výkonu u levnějších tříd disků Samsung.

Zdroje: Samsung, The Tech Report

Ohodnoťte tento článek!
Pokrývač aktuálního dění v PC hardwaru pro Cnews.cz * Má rád: sranda, levný hardware, x86, nemoderní umění, slušnost, ekologie, Tolkien * Nerád: trollové, nespravedlnost, snobí hardware, prosciutto