Samsung zahájil výrobu V-NAND. Vstříc světlým zítřkům s vícevrstvou pamětí

0

Přáli bychom si, aby nedokonalou technologii pamětí NAND Flash nahradily memristory, ale to se hned tak nestane. Paměti NAND mají před sebou ještě mnoho úspěšných let i díky Samsungu, který zahájil sériovou výrobu prvních čipů „3D Vertical NAND“. Každý jednotlivý čip má kapacitu 128 Gb neboli 16 GB (stejně velké čipy používají SSD Samsung řady 840 Evo, tam se však jedná o čipy TLC NAND Flash, kdy jsou v jedné buňce uloženy tři bity dat).

Samsung této kapacity nedosáhl stohováním několika čipů na sebe, ke kterému by pojem 3D mohl svádět. Ani 3D tranzistory nejsou úplně přesnou paralelou. Společnost přišla na způsob, jak přímo při výrobě naskládat do čipu až 24 vrstev paměťových buněk. O technickém řešení víme jen to, že Samsung používá jakési proprietární vertikální propojení a že elektrický náboj je uchováván v nevodivé vrstvě nitridu křemíku (SiN) namísto plovoucího hradla. Výrobní postup bude pravděpodobně 19nm nebo 21nm.

 

Korejský gigant uvedl, že V-NAND vykazuje dvou- až desetinásobně vyšší „spolehlivost“ oproti klasickým 19nm NAND (nevíme, jestli se tím myslí počet P/E cyklů, nebo něco jiného) a také dvakrát vyšší rychlost zápisu. V první řadě ale V-NAND umožňuje zvyšovat „hustotu zápisu“ bez nutnosti přecházet na nové výrobní technologie, což je postupem času stále problematičtější.

Zdroj: The Tech Report

Ohodnoťte tento článek!