Také Hynix rozšíří výrobu RAM (a pošle ceny dolů). Staví pro ni novou továrnu v Číně

10
Paměti DDR4 (Zdroj: Crucial)

Tento týden jsme zde měli pozitivní zprávu v současném cenovém marasmu okolo operačních pamětí. Samsung, jejich největší současný výrobce, se totiž prý rozhodl, že podzásobenost trhu vedoucí k vysokým cenám už trvala příliš dlouho (jelikož otevírá příliš prostoru pro případné nové výrobce z Číny, jejichž konkurence by dlouhodobě převážila krátkodobé pozitivum dnešních vysokých zisků). Tato firma prý proto během let 2018 a 2019 výrobu razantně zvýší. Ceny operačních pamětí by to mělo poslat níž, jelikož se zdá, že tento směr akceptují i další zúčastnění. Hned po novině o Samsungu totiž přicházejí zprávy o poměrně slušném navýšení objemu výroby i od druhého velkého korejského výrobce operačních pamětí, SK Hynixu.

Během většiny letošního roku ještě výrobci a od nich prosakující zákulisní informace nehovořili o tom, že by měly být budovány nové kapacity; navyšovat produkci měly jen optimalizace existujících provozů, zvyšování výtěžnosti a zmenšování čipů s pokroky výrobního procesu. Lze tak říci, že kapacita výroby byla zanedbávána třeba proti NAND, kde se nové linky vesele otevíraly. Tomu je naštěstí konec, stejně jako Samsung totiž i SK Hynix přímo přidá výrobní linky.

Má se tak stát v jeho čínských provozech ve městě Wu-si (anglicky Wuxi). Hynix zde již výrobu DRAM provozuje, možná si vzpomenete, že právě zde poničil továrny v roce 2013 velký požár. Firma nyní s místní administrativou uzavřela dohody o rozšíření tohoto komplexu, do kterého má jít až 8,6 miliardy dolarů. Továrna či továrny po této expanzi mají vyrábět 200 000 waferů měsíčně, což by mělo znamenat asi polovinu navíc proti současné produkci, jež se pohybuje okolo 130 000 waferů za měsíc. Pokud tato čísla sedí, přidají nové linky k světové produkci kapacitu zhruba 70 000 waferů měsíčně. Má jít navíc o výrobu relativně moderním procesem, Hynix uvádí třídu „1x nm“. Momentálně by Wu-si podle neoficiálních informací mělo vyrábět na 18nm procesu.

Továrna Hynixu ve Wu-S (Zdroj: ETNews)
Továrna Hynixu ve Wu-S (Zdroj: ETNews)

To, že jde o výstavbu nových budov a linek, bohužel ale znamená, že plody plynoucí z této investice pro nás coby konzumenty operačních pamětí (ať už prodávaných samostatně, nebo v hotových počítačích a mobilech) budou přicházet pomalu. Výstavba a vybavování by asi měly probíhat v letech 2018 a 2019, takže efekt se projeví spíš až za dva roky, do té doby může působit jen výhledově na burzovní ceny.

Objem výroby se zvedne už během roku 2018, ale zatím drobně

Pokud jde o to, jak moc by se mohla situace s cenami RAM zlepšit přímo v příštím roce (2018), přinesla nyní odhad růstu produkce v tomto období analýza DRAMeXchange. Podle té by se nedostatek měl zmírnit o něco dříve, než se dřív čekalo. Zejména díky tomu, že Samsung chce převést na výrobu DRAM některé už existující linky (viz onu předchozí zprávu), což může být uvedeno do reality rychleji než nová továrna. Díky tomu by měl objem výroby operačních pamětí za rok 2018 stoupnout o 22,5 % proti roku 2017, počítáno celkovou kapacitou vyrobených čipů v bitech. Za letošek proti roku 2016 tento objem sice také rostl, ale méně, jen o 19,5 %.

Práce v tzv. cleanroomu továrny na čipy (Zdroj: GlobalFoundries)

Mírné posílení nabídky by tedy mohlo trošku srovnat jazýčky na tržních vahách. Je ale samozřejmě otázka, zda výrazněji nestoupne i poptávka třeba kvůli rozjezdu nových serverových platforem. Zatím tedy asi nelze s jistotou říci, zda už během roku 2018 budou paměti zlevňovat, nebo si zachovají vysoké ceny, na něž vylezly od druhé poloviny roku 2016. Pro rychlou orientaci – dolarová cena 4GB modulu DDR4 podle DRAMeXchange v průměru za posledního jeden a půl roku stoupla o 130 %, z 13 $ na 30,5 $. Návrat do dřívějších příjemných relací asi nebude nic rychlého.

Také Hynix rozšíří výrobu RAM (a pošle ceny dolů). Staví pro ni novou továrnu v Číně

Ohodnoťte tento článek!

10 KOMENTÁŘE

  1. Ten novy Cinsky vyrobce, ktery ma uz stavet svoji vyrobu, jim musi slusne nahanet hruzu – super, budu jim drzet palce. Snad se konecne blyska na lepsi casy, ten stavajici kartel je uz strasna nuda :/

  2. Paměti by si zasloužily nějaké univerzální rozhraní, aby mohly být použity někdy v budoucnu. Rozhraní by se mohlo vylepšovat, ale udržovalo by si zpětnou kompatibilitu, stejně jako si udržuje zpětnou kompatibilitu SATA či USB, díky čemuž můžeme v pohodě použít i v novém počítači 10 let starý hardware.
    Mele mi z posledního počítač, ve kterém mám 16 GB DD3 s 1,5V napájením a tak mě v dohledné době čeká vyhození něčeho, co by mohlo krásně sloužit ještě roky. Navíc mě neskutečně irituje, že těch 16 GB je dneska dražších, než těch stávajících před 6,5 rokama.

    • U RAM není problém v kompatibilitě způsoben konektorem, ale řadičem v procesoru. DDR4 řadič nebude fungovat s DDR2 pamětmi.
      Intel to zkoušelu Skylake, a jak to dopadlo. Jakákoliv DDR3 s napětím vyšším než 1,35V odpálila časem řadič

      • A vidíte někde, že mluvím o konektoru? Mluvím o rozhraní. A ano, rozhraní musí podporovat obě strany, což není takový problém, jak to vypadá, protože totéž už funguje u spousty jiných rozhraní.
        Že to Intelu u Skylake nefungovalo bylo o tom, že jemu to fungovalo, jen výrobci desky jaksi kašlali na detekci nekompatibility, přestože v rámci BIOSu jednoznačně identifikují jak procesor, tak paměti a dovolili provozování na nepodporovaných napětích. Intel nikdy neprezentoval, že by řadič Skylaku zvládal všechny DDR3 moduly.

    • To nejde, SATA nemá takové nároky na propustnost (dokud nepřišly rychlé SSD…) ani latenci. RAM je kritická pro výkon, takže tam takovéhle abstrakce být nemůžou.

      Kdyby takové „univerzální rozhraní“ mělo být prosazeno, tak by to fungovalo tak, že bychom na furt ustrnuli na jedné technologii, teda například tom DDR3. Nikoliv že by byl univerzální slot a do toho šla nacpat DDR2, DDR3, DDR4…

      • Nejde je hodně silné slovo. Jediné, o co jde, je dohodnout počet vodičů a pak jeden základní mód, na kterém při startu naběhne komunikace. Pak už jde jen o to, že při inicializaci komunikace se obě strany ozvou a oznámí si navzájem, jaké standardy podporují. A na tom nejvyšším začnou komunikovat. Ostatně, tohle se děje už dneska, když paměťový modul oznamuje desce, jaké napětí, jakou frekvenci a jaké časování je schopen provozovat. Nyní by jen přidal „formát dat“. Jelikož jde jen o prvotní inicializaci, tak to nemá vůbec žádný vliv na latenci. Je pravda, že v procesoru by muselo být více řadičů pamětí, ale to asi není tak velký problém, když se běžně dělaly čipy, co uměly DDR3 a DDR4 a i v minulosti to bývalo běžné, třeba čipy s podporou SIMM i DIMM.
        A že mají nároky na propustnost? PCI express má jen o trochu nižší propustnost a zpětnou kompatibilitu poskytuje.
        Muselo by se prostě chtít.

        • Tak samozrejme že to ide, dnešné FPGA majú sériové kanály ktoré zvládnu všetko od USB, cez DDR, HBM, PCIe 4 až po 112G PAM4 alebo 400G sieťovky.

          Ale stojí to rádovo viac ako radič v dnešných CPU.

    • To je jedna možnosť. Druhá možnosť je že kartel pohrozil novým záujemcom znížením ceny. Predpokladajme že zavedený hráči budú s rozbehom nových tovární oveľa rýchlejší ako niekto kto začína od nuly a poklesom ceny ich veľmi rýchlo vyšachujú tak že nebudú mať možnosť na ROI ich multimiliardovej investície.

      Ďalšia možnosť je v článku spomínaná expanzia v serveroch (IoT, ADAS, 5G…). Pokiaľ sa aspoň z časti naplnia sľuby Intelu (500% rast do 2021) tak tá kapacita nebude stačiť ani zďaleka.