Necelé dva roky po uvedení rychlých 256GB paměťových čipů pro mobily a tablety Samsung dokázal kapacitu zdvojnásobit. Dnes představil vůbec první 512GB úložiště formátu eUFS, mohlo by se ve špičkových zařízeních objevit už na jaře.
Bez dalších podrobností firma prozradila, že jde o zdokonalenou 64vrstvou architekturu V-NAND (dříve 48 vrstev). V jednom pouzdře se nachází osm 512Gb čipů a řadič s přepracovanou správou napájení, díky níž by nemělo dojít k žádnému výraznému navýšení spotřeby oproti 256GB modulům.
A rychlost? Samsung uvádí sekvenční čtení 860 MB/s a zápis 255 MB/s. Při náhodném čtení pak zvládne 42 000 IOPS a při zápisu pak 40 000 IOPS. Firma nezapomněla zdůraznit, že jsou to asi 400× vyšší hodnoty než u běžných microSD karet. Jejich čtečky ale do svých nejlepších smartphonů stále integruje, přestože již loni ukázala nový formát UFS karet, jež nabízejí výkon podobný SSD.
