FD-SOI

1–10 / 10

Nové čínské MIPS procesory Loongson 3A4000: vyráběné na FD-SOI, výkon jako Excavator
- Jan Olšan
- 31. 12.

Samsung zahájil masovou výrobu magnetorezistivní nevolatilní paměti MRAM
- Jan Olšan
- 7. 3.
Samsung oznámil 4nm výrobní proces. Nahradí FinFETy novým 3D tranzistorem MBCFET
- Jan Olšan
- 25. 5.
GlobalFoundries má 12nm proces na bázi FD-SOI, alternativu k 10nm FinFETům
- Jan Olšan
- 11. 9.
Číňané prý chtějí koupit GlobalFoundries, aby získali FinFETy nebo FD-SOI
- Jan Olšan
- 4. 9.
GlobalFoundries oficiálně uvádí FD-SOI proces 22FDX. Produkce v roce 2017
- Jan Olšan
- 15. 7.
GlobalFoundries rozběhne velkovýrobu 22nm FD-SOI procesem do konce roku 2016
- Jakub Peloušek
- 26. 6.
GlobalFoundries zvažuje 22nm FD-SOI proces,pro jsou náklady a jednoduchost
- Jakub Peloušek
- 24. 6.
STMicroelectronics nebude mít 10nm proces, 14 nm je pro ní konečná stanice
- Jan Olšan
- 5. 5.
Samsung příští rok spustí 28nm výrobní proces typu FD-SOI. Vrátí SOI na výsluní?
- Jan Olšan
- 19. 5.

1–10 / 10