Vlákno názorů k článku Technologie, která může vrátit Intel do hry: Dožene vylepšený proces 18A-P náskok Tchaj-wanu? od Sing - Lepší odvod tepla umožní větší spotřebu. 600W CPU.
-
Ale tam byly dva různé problémy
Hnití způsobené nějakou chybou v procesu pouzdření - špatný oplach a zůstaly tam zbytky kyseliny mezi vrstvami a postupně to zničilo kovové vrstvy.
Druhý pak byl asi nějaká chyba v návrhu a při vyšších frekvencích sběrnice se tato usmažila - něco podobného bylo kdysi u nějakých atomů, kde takto degradovalo PCI rozhraní, jestli se nepletu. To by mohlo být na použitém procesu nezávislé... -
Ty informace o oxidaci, nakolik byly pravdivé, se týkaly omezeného množství procáků ze začátku. IMHO jakékoli spojování s tím široce rozšířeným odcházením procesorů, které nastalo později je nepodložené střílení do tmy.
Je známo, co stálo za tou široce známou kauzou chcípání/degradace procesorů Raptor Lake, byly to nedostatky v řízení napětí, kdy procesor dostával při přepínání mezi stavy nízké a vysoké zátěže a idle/turbo boostem dávky napětí, které nebyly bezpečné. Postupně tím degradoval a v momentě, kdy to překročilo míru, přestal bít stabilní. Těch nedostatků v řízení napětí bylo víc, které Intel postupně opravoval, a situaci zhoršovalo i to, že se v praxi ignorovalo "nařízení", že Thermal Velocity Boost se smí používat jenom za nižších teplot právě kvůli ochraně zdraví křemíku...
Takže na vině nebyla ani chyba výrobního procesu, ani samotná vysoká spotřeba, paradoxně. Na vině bylo, že šli velmi na hranu s frekvencemi. Což by nevadilo samo o sobě, ale pro ty frekvence potřebovali vysoká napětí. A systém řízení napětí mezi procesorem a deskou na to neměli připravený, dost robustní a dost přesný. Ta infrastruktura nebyla připravená k tomu, jak vysoká napětí a rychlosti jejich změny dotyčné procesory používaly.
-
Ta oxidace byla dokumentována, takže "nakolik byly pravdivé" je "střílení do tmy" . Shnilè kovové vrstvy v backendu se našly - nejspíše tam zůstala residua kyseliny z etch fáze - selhal nejspíše oplach nebo sušení waferu, kontaminace nebo špatná koncentrace roztoku je méně pravděpodobná - to dokáží zastavit během pár placek (koncentrace se měří průběžně v analyzéru) nebo co pár hodin rozborem v labce a pak jde většinou postižená produkce do stoupy...
U toho umytí/vysoušení se na to nemusí přijít ani během testu a i tam na tento problém to bude mít vliv zátěž - s vyšší zátěži a tím i teplotou bude i zde degradace rychlejší... Příčiny mohly být různě, nepíše nějaký sensor, který nezaznamenal jiný problém který způsoboval třeba nižší tlak, nebo špatně nastavená "receptura" - příliš krátký čas pro mytí/ofuk...Kolik toho bylo, se veřejně moc neví, mohlo jít o produkci nejspíše z jednoho stroje (sensor) nebo ze všech po určitý čas, než se zjistilo že je problém (receptura)
IMHO první problém mohl být nepatrný, ale po určitý čas se mohly oba problémy prolínat, mohlo jít o malou várku, kterou nějaký idiot pustil, nebo déledobý problém který se později spláchl s tím druhým.
V původním komentáři je nespojuji...
