Měsíc a pár dní od představení standardu UFS 3.1 již Samsung začal s masovou výrobou prvních takto specifikovaných čipů. Oproti dřívějším UFS 3.0 zvyšují hlavně rychlost zápisu, svižnější ale budou také náhodné přístupy.
Sekvenční čtení se nemění, čip dosahuje až 2100 MB/s, což je jen kousek od teoretického maxima samotného rozhraní. Sekvenční zápis ale zrychlil trojnásobně na 1200 MB/s. Co už Samsung tají, je fakt, že takovou propustnost nelze dosáhnout konzistentně na celé kapacitě, ale jen do vyčerpání tzv SLC cache. Úložiště pro mobily a tablety se tak špičkovým počítačovým SSD přibližují nejen rychlostmi, ale také použitím různých triků. Náhodné čtení je pak o 60 % a zápis o 3 % rychlejší než dřív.
Čip se objeví v prvních vlajkových mobilech ještě letos, pravděpodobně jej najdeme v řadě Galaxy Note20. Samsung bude úložiště vyrábět v kapacitách 128, 256 a 512 GB. Produkci má na starost továrna páté generace v čínském Si-anu. Později pomůže i fabrika v korejském Pchjongtcheku, kde Samsung připravuje linky na šestou generaci V-NAND pamětí.| Úložiště | Sekvenční čtení | Sekvenční zápis | Náhodné čtení | Náhodný zápis |
|---|---|---|---|---|
| 512GB eUFS 3.1 (03/2020) | 2100 MB/s | 1200 MB/s | 100 000 IOPS | 70 000 IOPS |
| 512GB eUFS 3.0 (02/2019) | 2100 MB/s | 410 MB/s | 63 000 IOPS | 68 000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1 (01/2019) | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58 000 IOPS | 50 000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (11/2017) | 860 MB/s | 255 MB/s | 42 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 256GB UFS Card (07/2016) | 530 MB/s | 170 MB/s | 40 000 IOPS | 35 000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (02/2016) | 850 MB/s | 260 MB/s | 45 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (01/2015) | 350 MB/s | 150 MB/s | 19 000 IOPS | 14 000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB/s | 125 MB/s | 11 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB/s | 90 MB/s | 7 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB/s | 50 MB/s | 7 000 IOPS | 2 000 IOPS |
Zdroj: Samsung
ČLÁNKY DO MAILU