Nové kapacity zmírní nedostatek NAND na trhu, u RAM ale hrozí zhoršení. Micron má havárii

0
Cleanroom křemíkové továrny

Posledních dvanáct měsíců znepříjemňuje stavbu nebo nákup počítačů nedostatek pamětí NAND Flash a DRAM na trhu. Jejich výrobci oproti poptávce nestíhají, a tak SSD a zejména operační paměti zdražují, což bohužel nemá v dohledné době skončit. Tento týden pro tuto oblast přišly nové zprávy, částečně dobré, částečně špatné.

 

Třináctimiliardová továrna Samsungu omezí nedostatek pamětí Flash

Pozitivní obrat by snad mohl nastat u SSD, úložišť, mobilů, paměťových karet a tak dále. Do výroby v nich používaných pamětí NAND Flash by se totiž měla zapojit nová výrobní kapacita a posílení nabídky by mělo zmírnit nedostatek a zvrátit nebo aspoň zpomalit současné šponování cen nahoru. Samsung totiž rozjel výrobu v nové továrně nacházející se v městě Pchjongtchek v severozápadní části jižní Korey. Tato továrna, jejíž stavba a vybavení údajně stála 13 miliard dolarů, byla minulý měsíc dokončena a Samsung uvádí, že začal na trh dodávat první čipy NAND vyrobené už v tomto závodě.

Vrstvená V-NAND Samsungu
Vrstvená V-NAND Samsungu

Má jít o aktuální čtvrtou generaci 3D V-NAND s 64 vrstvami. Tyto čipy by měly mít kapacitu 256 Gb (32 GB) na jeden kousek křemíku. Celková dostupná kapacita čipů na trhu by tedy měla narůst, ale továrna pravděpodobně ještě neběží na plný výkon, rozběh může chvíli trvat. Pokud jde zatím jen o počáteční fázi produkce, pak nemusí být výstup příliš velký. Během následujících měsíců by ovšem měla udeřit naplno. Zda už to úplně pokryje potřeby trhu (což by růst cen zastavilo), nebo se nedostatek jen zmírní, ale nevíme.

Nedostatek DRAM by mohl zhoršit výpadek továrny Micronu

Takto dobré zprávy bohužel nemáme ohledně operačních pamětí RAM (respektive DRAM, jak se v nich používané paměťové čipy označují). Zde kapacita výroby stagnuje a bohužel hrozí dokonce určité její narušení. Přišly totiž zprávy, že v jednom z podniků firmy Micron na Tchaj-wanu došlo k havárii, která by údajně mohla odstavit z provozu až okolo 5,5 % celkové produkce DRAM.

Potíže nastaly v závodu v tchajwanském městě Tchao-jüan, kde Micron provozuje dvě továrny, původně patřící firmě Inotera (kterou založily Nanya a Infineon/Quimonda, loni ji ale spolkl Micron). V jednom z těchto dvou bloků (Fab-2) došlo údajně 1. července vinou neupřesněné závady k úniku dusíku, který kontaminoval křemíkové wafery a výrobní zařízení, přičemž provoz musel být odstaven a část produkce nacházející se v to době na linkách patrně také mohla být poškozena. Podle analytické firmy TrendForce by kompletní odstavení Fab-2 znamenalo výpadek produkce DRAM v objemu asi 60 tisíc waferů měsíčně, které nebudou ničím nahrazeny. Celková průmyslová produkce DRAM by globálně měla být asi okolo 1135 tisíc waferů za měsíc.

micron-pamet-cipJak dlouho tento výpadek bude ovlivňovat již tak problematický trh s operačními pamětmi, není jasné. Podle nezávislých zpráv chce Micron linky zprovoznit co nejdříve, ale nepůjde o nějakou bleskurychlou záležitost. Oficiální sdělení se poněkud liší. Firma totiž odmítá, že by došlo k nějakému velkému problému, i když přiznává „menší incident“. Žádný dusík prý ale neunikl ani nebyla nutná evakuace zaměstnanců. Obnova provozu údajně „rychle pokračuje“ a nemá mít „významné následky“ pro byznys firmy.

Je možné, že se Micron snaží trochu mírnit paniku, pokud totiž probíhá obnova, muselo dojít k nějakému jejímu narušení. Zda továrna Fab-2 nyní vyrábí, firma nepotvrdila. Její produkce by tudíž asi nějak narušena být měla. Inotera vyráběla hlavně mobilní paměti (LPDDR4), takže primárně by se problémy měly dotknout mobilů, tabletů a Ultrabooků integrujících tyto čipy místo klasické DDR4 či DDR3. Při dlouhodobějším výpadku by asi mohli výrobci přesunout část kapacit používaných pro běžnou RAM na LPDDR, což by dopad přeneslo i do oblasti PC a serverů, ale pokud se výrobu v Fab-2 Inotery podaří obnovit do pár týdnů, snad takový scénář nenastane.

Nové kapacity zmírní nedostatek NAND na trhu, u RAM ale hrozí zhoršení. Micron má havárii

Ohodnoťte tento článek!